[发明专利]一种同步功率管驱动和自举电容充电电路有效
申请号: | 201410010262.6 | 申请日: | 2014-01-09 |
公开(公告)号: | CN103701308A | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
发明(设计)人: | 秦松 | 申请(专利权)人: | 帝奥微电子有限公司 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08;H02M1/32 |
代理公司: | 上海宏威知识产权代理有限公司 31250 | 代理人: | 金利琴 |
地址: | 201103 上海市闵行区合川*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开一种同步功率管驱动和自举充电电路,其利用高压PMOS管给一同步NMOS功率管的栅极充电使之导通,同时PMOS管会分出一路电流流经一个电阻,该电阻的两端分别接一个NMOS管的栅极和源极,该NMOS管的漏极接自举电容的上端,同时包含一个比较器的监控电路会监控同步功率管NMOS管的最大栅源电压,以确保其电压不会超出电压限制5V。本发明可实现对下管驱动的同时,实现对自举电容的充电,并且消除了二极管的正向导通电压。 | ||
搜索关键词: | 一种 同步 功率管 驱动 电容 充电 电路 | ||
【主权项】:
一种同步功率管驱动和自举电容充电电路,其特征在于:包括源极相连接后与第一NMOS管的漏极相连的第一、第二PMOS管,该第二PMOS管的漏极分别与一电阻和第二NMOS管的栅极相连,且该电阻的另一端与该第二NMOS管的源极相连,该第二NMOS管的源极通过其寄生的体二极管分别与其漏极和一电容的一端相连,该电容的另一端和所述第一NMOS管的源极连接到第三NMOS管的漏极,该第三NMOS管的栅极连接到第一比较器的正向输入端,该第一比较器的输出端通逻辑控制和驱动单元连接到所述第一、第二PMOS管的栅极,且该第一PMOS管的漏极、所述电阻和第二NMOS管的源极都连接到第三NMOS管的栅极、第一比较器的正向输入端和第四NMOS管的漏极,且该第四NMOS管的栅极连接到所述逻辑控制和驱动单元,其源极和所述第三NMOS管的源极接地。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
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