[发明专利]一种同步功率管驱动和自举电容充电电路有效

专利信息
申请号: 201410010262.6 申请日: 2014-01-09
公开(公告)号: CN103701308A 公开(公告)日: 2014-04-02
发明(设计)人: 秦松 申请(专利权)人: 帝奥微电子有限公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;H02M1/32
代理公司: 上海宏威知识产权代理有限公司 31250 代理人: 金利琴
地址: 201103 上海市闵行区合川*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开一种同步功率管驱动和自举充电电路,其利用高压PMOS管给一同步NMOS功率管的栅极充电使之导通,同时PMOS管会分出一路电流流经一个电阻,该电阻的两端分别接一个NMOS管的栅极和源极,该NMOS管的漏极接自举电容的上端,同时包含一个比较器的监控电路会监控同步功率管NMOS管的最大栅源电压,以确保其电压不会超出电压限制5V。本发明可实现对下管驱动的同时,实现对自举电容的充电,并且消除了二极管的正向导通电压。
搜索关键词: 一种 同步 功率管 驱动 电容 充电 电路
【主权项】:
一种同步功率管驱动和自举电容充电电路,其特征在于:包括源极相连接后与第一NMOS管的漏极相连的第一、第二PMOS管,该第二PMOS管的漏极分别与一电阻和第二NMOS管的栅极相连,且该电阻的另一端与该第二NMOS管的源极相连,该第二NMOS管的源极通过其寄生的体二极管分别与其漏极和一电容的一端相连,该电容的另一端和所述第一NMOS管的源极连接到第三NMOS管的漏极,该第三NMOS管的栅极连接到第一比较器的正向输入端,该第一比较器的输出端通逻辑控制和驱动单元连接到所述第一、第二PMOS管的栅极,且该第一PMOS管的漏极、所述电阻和第二NMOS管的源极都连接到第三NMOS管的栅极、第一比较器的正向输入端和第四NMOS管的漏极,且该第四NMOS管的栅极连接到所述逻辑控制和驱动单元,其源极和所述第三NMOS管的源极接地。
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