[发明专利]一种同步功率管驱动和自举电容充电电路有效
| 申请号: | 201410010262.6 | 申请日: | 2014-01-09 |
| 公开(公告)号: | CN103701308A | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
| 发明(设计)人: | 秦松 | 申请(专利权)人: | 帝奥微电子有限公司 |
| 主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08;H02M1/32 |
| 代理公司: | 上海宏威知识产权代理有限公司 31250 | 代理人: | 金利琴 |
| 地址: | 201103 上海市闵行区合川*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 同步 功率管 驱动 电容 充电 电路 | ||
1.一种同步功率管驱动和自举电容充电电路,其特征在于:包括源极相连接后与第一NMOS管的漏极相连的第一、第二PMOS管,该第二PMOS管的漏极分别与一电阻和第二NMOS管的栅极相连,且该电阻的另一端与该第二NMOS管的源极相连,该第二NMOS管的源极通过其寄生的体二极管分别与其漏极和一电容的一端相连,该电容的另一端和所述第一NMOS管的源极连接到第三NMOS管的漏极,该第三NMOS管的栅极连接到第一比较器的正向输入端,该第一比较器的输出端通逻辑控制和驱动单元连接到所述第一、第二PMOS管的栅极,且该第一PMOS管的漏极、所述电阻和第二NMOS管的源极都连接到第三NMOS管的栅极、第一比较器的正向输入端和第四NMOS管的漏极,且该第四NMOS管的栅极连接到所述逻辑控制和驱动单元,其源极和所述第三NMOS管的源极接地。
2.根据权利要求1所述的同步功率管驱动和自举电容充电电路,其特征在于:所述第一、第二PMOS管为高压PMOS管,第一、第二、第三NMOS管为高压NMOS管,第四NMOS管为低压NMOS管。
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H02M1-00 变换装置的零部件
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H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
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H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置





