[发明专利]电子器件、半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410008748.6 | 申请日： | 2006-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN103730513B | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 前川慎志;桑原秀明 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417;H01L29/45 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 林毅斌,李进 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种电子器件、半导体器件及其制造方法。本发明提供了一种利用适合于批量生产制造大衬底的液滴喷射法的制造工艺。通过液滴喷射法选择性地喷射导电膜的光敏材料溶液，选择性地暴露于激光光线，并且显影或蚀刻，由此只允许暴露于激光光线的区域留下，以及实现具有比由喷射形成的图案本身更微小图案的源极布线和漏极布线。源极布线和漏极布线的一个特征是，源极布线和漏极布线穿过岛状半导体层并且与它交叠。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种有源矩阵液晶显示器件，包括：塑料衬底；在所述塑料衬底上方的基绝缘膜，其中所述基绝缘膜包含氮化硅；在所述基绝缘膜上方的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅电极；形成于所述栅电极上方的栅绝缘膜；和包含金属氧化物的半导体膜，所述金属氧化物包括In、Ga和Zn的氧化物；形成于所述半导体膜上的绝缘膜；和形成于所述绝缘膜上并与所述薄膜晶体管电连接的像素电极。
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