[发明专利]电子器件、半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410008748.6 | 申请日： | 2006-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN103730513B | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 前川慎志;桑原秀明 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417;H01L29/45 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 林毅斌,李进 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子器件 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种有源矩阵液晶显示器件，包括：
塑料衬底；
在所述塑料衬底上方的基绝缘膜，其中所述基绝缘膜包含氮化硅；
在所述基绝缘膜上方的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
栅电极；
形成于所述栅电极上方的栅绝缘膜；和
包含金属氧化物的半导体膜，所述金属氧化物包括In、Ga和Zn的氧化物；
形成于所述半导体膜上的绝缘膜；和
形成于所述绝缘膜上并与所述薄膜晶体管电连接的像素电极。
2.一种有源矩阵液晶显示器件，包括：
塑料衬底；
在所述塑料衬底上方的基绝缘膜，其中所述基绝缘膜包含氮化硅；
在所述基绝缘膜上方的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
栅电极；
形成于所述栅电极上方的栅绝缘膜；和
包含金属氧化物的半导体膜，所述金属氧化物包括In、Ga和Zn的氧化物；
形成于所述半导体膜上的包含无机材料的绝缘膜；和
形成于所述绝缘膜上并与所述薄膜晶体管电连接的像素电极。
3.一种有源矩阵EL显示器件，包括：
塑料衬底；
在所述塑料衬底上方的基绝缘膜，其中所述基绝缘膜包含氮化硅；
在所述基绝缘膜上方的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
栅电极；
形成于所述栅电极上方的栅绝缘膜；和
包含金属氧化物的半导体膜，所述金属氧化物包括In、Ga和Zn的氧化物；
形成于所述半导体膜上的包含无机材料的绝缘膜；和
形成于所述绝缘膜上并与所述薄膜晶体管电连接的像素电极。
4.一种有源矩阵液晶显示器件，包括：
塑料衬底；
在所述塑料衬底上方的基绝缘膜，其中所述基绝缘膜包含氮化硅；
在所述基绝缘膜上方的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
栅电极；
形成于所述栅电极上方的栅绝缘膜；和
包含金属氧化物的半导体膜，所述金属氧化物包括In、Ga和Zn的氧化物；
形成于所述半导体膜上的绝缘膜；和
形成于所述绝缘膜上并与所述薄膜晶体管电连接的像素电极，
其中所述绝缘膜用材料溶液形成。
5.一种有源矩阵EL显示器件，包括：
塑料衬底；
在所述塑料衬底上方的基绝缘膜，其中所述基绝缘膜包含氮化硅；
在所述基绝缘膜上方的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
栅电极；
形成于所述栅电极上方的栅绝缘膜；和
包含金属氧化物的半导体膜，所述金属氧化物包括In、Ga和Zn的氧化物；
形成于所述半导体膜上的绝缘膜；和
形成于所述绝缘膜上并与所述薄膜晶体管电连接的像素电极，
其中所述绝缘膜用材料溶液形成。
6.一种有源矩阵液晶显示器件，包括：
塑料衬底；
在所述塑料衬底上方的基绝缘膜，其中所述基绝缘膜包含氮化硅；
在所述基绝缘膜上方的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
栅电极；
形成于所述栅电极上方的栅绝缘膜；和
包含金属氧化物的半导体膜，所述金属氧化物包括In、Ga和Zn的氧化物；
形成于所述半导体膜上方的具有平整化顶表面的绝缘膜；和
形成于所述绝缘膜上方并与所述薄膜晶体管电连接的像素电极。
7.一种有源矩阵EL显示器件，包括：
塑料衬底；
在所述塑料衬底上方的基绝缘膜，其中所述基绝缘膜包含氮化硅；
在所述基绝缘膜上方的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
栅电极；
形成于所述栅电极上方的栅绝缘膜；和
包含金属氧化物的半导体膜，所述金属氧化物包括In、Ga和Zn的氧化物；
形成于所述半导体膜上方的具有平整化顶表面的绝缘膜；和
形成于所述绝缘膜上方并与所述薄膜晶体管电连接的像素电极。
8.根据权利要求6的有源矩阵液晶显示器件，其中所述绝缘膜包括有机树脂。
9.根据权利要求6的有源矩阵液晶显示器件，其中所述绝缘膜包括硅氧烷基聚合物。
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