[发明专利]一种互补开口谐振环和缺陷地结构半模基片集成波导的双带滤波器有效

专利信息
申请号: 201410008081.X 申请日: 2014-01-08
公开(公告)号: CN103700910A 公开(公告)日: 2014-04-02
发明(设计)人: 黄杰;张中华;李光林;陈志林 申请(专利权)人: 西南大学
主分类号: H01P1/20 分类号: H01P1/20;H01P1/203
代理公司: 重庆华科专利事务所 50123 代理人: 康海燕
地址: 400715*** 国省代码: 重庆;85
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摘要: 一种互补开口谐振环和缺陷地结构半模基片集成波导的双带滤波器,该滤波器利用两个谐振器实现双频带滤波器。该双带滤波器是在介质基片上面设置顶层金属、接地金属面设置底层金属地,顶层金属上刻蚀的互补开口谐振环结构、接地金属贴片刻蚀的互补开口谐振环缺陷地结构,在顶层金属的一边设有一排金属通孔,微带线,阻抗匹配单元,输入馈电线和输出馈电线。其中互补开口谐振环结构可产生一个通带,同时产生一个传输零点;互补开口谐振环缺陷地结构和微带线通过耦合产生一个通带,同时也产生一个输零点,两者级联构成双带滤波器。该滤波器引入两个传输零点,使带外抑制得到改善,提高通带选择性,同时采用锥形渐变的馈电方式,可提高外部品质因数。
搜索关键词: 一种 互补 开口 谐振 缺陷 结构 半模基片 集成 波导 滤波器
【主权项】:
一种互补开口谐振环和缺陷地结构的半模基片集成波导的双带滤波器,其特性在于:包括两端的输入馈电线(7)和输出馈电线(8)和中间的两个半模基片集成波导单元;所述半模基片集成波导单元包含三层结构:顶层金属(1a),中间层和底层金属地(1b); 在顶层金属(1a)上刻蚀有互补开口谐振环结构(2),构成第一谐振器,产生一个通带,同时产生一个传输零点;在顶层金属(1a)的一边设有一排金属通孔(4),连接顶层金属和底层金属地;顶层金属(1a)上还刻蚀有微带线(5)、阻抗匹配单元(6)、输入馈电线(7)和输出馈电线(8);所述微带线(5)与互补开口谐振环结构(2)相连;所述阻抗匹配单元(6)的一端与输入、输出馈电线(7、8)相连,另一端与半模基片集成波导相连,实现基片集成波导和输入、输出馈电线之间的模式转换和阻抗变换;在底层金属地(1b)上刻蚀互补开口谐振环缺陷地结构(3),所述微带线(5)位于互补开口谐振环缺陷地结构(3)的上方,并且中心线与互补开口谐振环缺陷地结构(3)中心线在一个平面上,所平面与底面金属平面垂直,两者之间存在电容耦合,互补开口谐振环缺陷地结构(3)和微带线(5)通过耦合构成第二谐振器;所述互补开口谐振环结构(2)和微带线(5)的中心线在一条直线上,整个滤波器结构是一个轴对称结构。
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