[发明专利]一种互补开口谐振环和缺陷地结构半模基片集成波导的双带滤波器

权利要求书

1.一种互补开口谐振环和缺陷地结构的半模基片集成波导的双带滤波器，其特性在于：包括两端的输入馈电线（7）和输出馈电线（8）和中间的两个半模基片集成波导单元；

所述半模基片集成波导单元包含三层结构：顶层金属（1a），中间层和底层金属地（1b）；

 在顶层金属（1a）上刻蚀有互补开口谐振环结构（2），构成第一谐振器，产生一个通带，同时产生一个传输零点；在顶层金属（1a）的一边设有一排金属通孔（4），连接顶层金属和底层金属地；顶层金属（1a）上还刻蚀有微带线（5）、阻抗匹配单元（6）、输入馈电线（7）和输出馈电线（8）；所述微带线（5）与互补开口谐振环结构（2）相连；所述阻抗匹配单元(6)的一端与输入、输出馈电线（7、8）相连，另一端与半模基片集成波导相连，实现基片集成波导和输入、输出馈电线之间的模式转换和阻抗变换；

在底层金属地（1b）上刻蚀互补开口谐振环缺陷地结构（3），所述微带线（5）位于互补开口谐振环缺陷地结构（3）的上方，并且中心线与互补开口谐振环缺陷地结构（3）中心线在一个平面上，所平面与底面金属平面垂直，两者之间存在电容耦合，互补开口谐振环缺陷地结构（3）和微带线（5）通过耦合构成第二谐振器；

所述互补开口谐振环结构（2）和微带线（5）的中心线在一条直线上，整个滤波器结构是一个轴对称结构。

2.根据权利要求1所述的互补开口谐振环和缺陷地结构半模基片集成波导的双带滤波器，其特征在于：构成第一谐振器的互补开口谐振环结构（2）是在顶层金属（1a）上刻蚀缝隙A和B而构成，缝隙A和B开口方向相反，能够产生一个通带。

3.根据权利要求2所述的互补开口谐振环和缺陷地结构半模基片集成波导的双带滤波器，其特征在于：其中缝隙A-2分别于A-1和A-3垂直相交，A-4分别于A-3和A-5垂直相交，缝隙B-2分别于B-1和B-3垂直相交，B-4分别与B-3和B-5垂直相交；A-1、A-2、A-3、A-4、A-5的长度和A-1和A-5之间的金属距离控制第一个通带的中心频率；缝隙A和B的宽度用于改变第一个传输零点。

4.根据权利要求2所述的互补开口谐振环和缺陷地结构半模基片集成波导的双带滤波器，其特征在于：其中缝隙A与B之间的金属宽度为0.3mm，缝隙A和B的宽为1mm，缝隙A-1、A-5的长为3.475mm，缝隙A-2、A-4的长为5.1mm，缝隙A-3的长为7.1mm，A-1缝隙和A-5缝隙之间的金属距离为0.25mm，缝隙B-1、B-5的长为2.125mm，缝隙B-2、B-4的长为2.5mm，缝隙B-3的长为4.5mm，缝隙B-1和B-5间的金属长为0.25mm。

5.根据权利要求１或２所述的互补开口谐振环和缺陷地结构半模基片集成波导的双带滤波器，其特征在于：构成第二谐振器的互补开口谐振环缺陷地结构(3)是在底层金属地（1b）上刻蚀的缝隙C和D而构成，缝隙C和D开口方向相反，互补开口谐振环缺陷地结构(3)（3）和微带线（5）耦合产生第二个通带，缝隙C的长和微带线（5）的长、宽控制第二个通带的中心频率，缝隙C、D的宽和微带线（5）的长、宽控制第二个通带的选择性。

6.根据权利要求4所述的互补开口谐振环和缺陷地结构半模基片集成波导的双带滤波器，其特征在于：其中缝隙C-2分别于C-1和C-3垂直相交，C-4分别于C-3和C-5垂直相交，缝隙D-2分别于D-1和D-3垂直相交，D-4分别于D-3和D-5垂直相交。

7.根据权利要求6所述的互补开口谐振环和缺陷地结构半模基片集成波导的双带滤波器，其特征在于：所述缝隙C与D之间的金属宽度为0.25mm，缝隙C和D的宽为0.25mm，缝隙C-1、C-5的长为1.975mm，缝隙C-2、C-4的长为3.7mm，缝隙C-3的长为4.2，C-1缝隙和C-5缝隙之间的金属距离为0.25mm，缝隙D-1、D-5的长为1.475mm，缝隙D-2、D-4的长为2.7mm，缝隙D-3的长为3.2m，缝隙D-1和D-5间的金属距离为0.25mm；微带线（5）的长为4.2mm，宽为1mm。

8.据权利要求1或2所述的互补开口谐振环和缺陷地结构半模基片集成波导的双带滤波器，其特征在于：所述互补开口谐振环结构（2）距顶层金属（1a）的左边缘0.5mm、距上边缘0.3mm、距下边缘金属化过孔圆心为1.2mm，两个单元的中心距离为10.1mm。