[发明专利]MOM电容及其制作方法在审
| 申请号： | 201410006902.6 | 申请日： | 2014-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN103700645A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 张海福 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种MOM电容及其制作方法。所述MOM电容包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的介质层；多个层叠设置的第一电极，位于所述介质层中，同一层中的第一电极呈指状结构；多个层叠设置的第二电极，位于所述介质层中，同一层中的第二电极呈指状结构；同一层中所述第一电极和所述第二电极相对交错排布；相邻层之间的第一电极设置有第一金属平板结构；相邻层之间的第二电极设置有第二金属平板结构。本发明可以进一步提高MOM电容的电容值。 | ||
| 搜索关键词： | mom 电容 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种MOM电容，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的介质层；多个层叠设置的第一电极，位于所述介质层中，同一层中的第一电极呈指状结构；多个层叠设置的第二电极，位于所述介质层中，同一层中的第二电极呈指状结构；同一层中所述第一电极和所述第二电极相对交错排布；相邻层之间的第一电极设置有第一金属平板结构；相邻层之间的第二电极设置有第二金属平板结构。
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