[发明专利]MOM电容及其制作方法在审
| 申请号： | 201410006902.6 | 申请日： | 2014-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN103700645A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 张海福 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mom 电容 及其 制作方法 | ||
1.一种MOM电容，其特征在于，包括：
半导体衬底；
位于所述半导体衬底上的介质层；
多个层叠设置的第一电极，位于所述介质层中，同一层中的第一电极呈指状结构；
多个层叠设置的第二电极，位于所述介质层中，同一层中的第二电极呈指状结构；
同一层中所述第一电极和所述第二电极相对交错排布；
相邻层之间的第一电极设置有第一金属平板结构；
相邻层之间的第二电极设置有第二金属平板结构。
2.如权利要求1所述的MOM电容，其特征在于，所述第一金属平板结构的形状、尺寸与所述第一电极的形状、尺寸相同；所述第二金属平板结构的形状、尺寸与所述第二电极的形状、尺寸相同。
3.如权利要求1所述的MOM电容，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极的材料为铝。
4.如权利要求1所述的MOM电容，其特征在于，所述第一金属平板结构和所述第二金属平板结构的材料为钨。
5.如权利要求1所述的MOM电容，其特征在于，所述第一金属平板结构和所述第二金属平板结构的厚度范围包括0.1μm～10μm。
6.一种MOM电容的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成介质层，且在所述介质层中形成多个层叠设置的第一电极和多个层叠设置的第二电极，同一层中的第一电极呈指状结构，同一层中的第二电极呈指状结构，同一层中所述第一电极和所述第二电极相对交错排布；相邻层之间的第一电极设置有第一金属平板结构；相邻层之间的第二电极设置有第二金属平板结构。
7.如权利要求6所述的MOM电容的制作方法，其特征在于，采用互连线工艺形成所述第一金属平板结构和所述第二金属平板结构。
8.如权利要求6所述的MOM电容的制作方法，其特征在于，所述第一金属平板结构的形状、尺寸与所述第一电极的形状、尺寸相同；所述第二金属平板结构的形状、尺寸与所述第二电极的形状、尺寸相同。
9.如权利要求6所述的MOM电容的制作方法，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极的材料为铝，所述第一金属平板结构和所述第二金属平板结构的材料为钨。
10.如权利要求6所述的MOM电容的制作方法，其特征在于，所述第一金属平板结构和所述第二金属平板结构的厚度范围包括0.1μm～10μm。
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