[发明专利]显示装置、阵列基板及其制造方法

摘要

本发明公开了一种阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置，该阵列基板包括第一薄膜晶体管以及像素电极，其中，第一薄膜晶体管的有源层和源漏电极以及像素电极通过一次构图工艺形成。本发明仅需要通过三道光刻工艺即可制作出性能良好的阵列基板，大大缩短薄膜晶体管的制作周期，提高薄膜晶体管的特性，同时大大提高产品的良率。

主权项

一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括第一薄膜晶体管以及像素电极，其特征在于，所述第一薄膜晶体管中的有源层和源漏电极以及像素电极通过一次构图工艺形成；所述阵列基板还包括第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管中的有源层和源漏电极以及像素电极通过一次构图工艺形成；所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管中的有源层和源漏极以及像素电极通过一次构图工艺形成，具体包括：沉积有源层薄膜、源漏金属层和像素电极层；涂覆光刻胶；采用双色调掩膜工艺进行曝光显影，其中，第一薄膜晶体管漏极与第二薄膜晶体管栅极的连接区域、数据线和电源线区域、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的源漏电极区域、以及像素电极区域为光刻胶完全保留区域；第一薄膜晶体管的第一沟道区域和第二薄膜晶体管的第二沟道区域为光刻胶部分保留区域；形成上述区域之外区域为光刻胶完全去除区域；通过第一次刻蚀工艺，去除光刻胶完全去除区域对应的像素电极层、源漏金属层以及有源层薄膜，通过灰化工艺除去所述部分保留区域对应的光刻胶，形成第一沟道区域和第二沟道区域；通过第二次刻蚀工艺，去除光刻胶部分保留区域对应的像素电极层和源漏金属层；剥离剩余光刻胶层，形成第一薄膜晶体管漏极与第二薄膜晶体管栅极的连接区域的图案、数据线和电源线区域的图案、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的源漏电极区域的图案以及像素电极的图案。