[发明专利]显示装置、阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括第一薄膜晶体管以及像素电极，其特征在于，所述第一薄膜晶体管中的有源层和源漏电极以及像素电极通过一次构图工艺形成。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述源漏电极和像素电极均由透明电极材料制成。

3.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板还包括第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管中的有源层和源漏电极以及像素电极通过一次构图工艺形成。

4.如权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在形成所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管以及像素电极之前还包括：

在基板上沉积栅金属薄膜，通过一次构图工艺形成包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的栅极、栅线的图案；

在完成前述步骤的基板上形成栅绝缘层，通过构图工艺形成过孔，所述栅绝缘层的过孔形成于第二薄膜晶体管栅极的上方。

5.如权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述栅绝缘层经过退火工艺处理。

6.如权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述栅绝缘层为一层，所述栅绝缘层采用氧化硅薄膜、氧化铝薄膜，氧化钛薄膜、氮氧化硅薄膜、氧化锆薄膜、氧化钽薄膜、钛酸钡薄膜或氧化钕薄膜、氮氧化硅薄膜、氮氧化铝薄膜、氮氧化锆薄膜、氮氧化钽薄膜、氮氧化钕薄膜、氮化硅薄膜、氮化铝薄膜、氮化锆薄膜和氮化钽薄膜中的一种；或者

所述栅绝缘层为两层，即包括第一栅绝缘层和第二栅绝缘层，所述第一栅绝缘层贴近栅极层，所述第二栅绝缘层贴近有源层，所述第一栅绝缘层图案采用氮氧化硅薄膜、氮氧化铝薄膜、氮氧化锆薄膜、氮氧化钽薄膜、氮氧化钕薄膜、氮化硅薄膜、氮化铝薄膜、氮化锆薄膜和氮化钽薄膜中的一种；所述第二栅绝缘层采用氧化硅薄膜，氧化铝薄膜，氧化钛薄膜、氮氧化硅薄膜、氧化锆薄膜、氧化钽薄膜、钛酸钡薄膜和氧化钕薄膜中的一种；或者

所述栅绝缘层为三层，包括第三栅绝缘层、第四栅绝缘层和第五栅绝缘层，所述第三栅绝缘层贴近栅极层，所述第五栅绝缘层贴近有源层，所述第四栅绝缘层位于第三栅绝缘层和第五栅绝缘层之间，所述第三栅绝缘层采用氮化硅薄膜、氮化铝薄膜、氮化锆薄膜和氮化钽薄膜中的一种；所述第四栅绝缘层采用氮氧化硅薄膜、氮氧化铝薄膜、氮氧化锆薄膜、氮氧化钽薄膜和氮氧化钕薄膜中的一种；所述第五栅绝缘层图案采用氧化硅薄膜，氧化铝薄膜，氧化钛薄膜、氮氧化硅薄膜、氧化锆薄膜、氧化钽薄膜、钛酸钡薄膜和氧化钕薄膜薄膜中的一种。

7.如权利要求3-6任一权利要求所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管中的有源层和源漏极以及像素电极通过一次构图工艺形成，具体包括：

沉积有源层薄膜、源漏金属层和像素电极层；

涂覆光刻胶；

采用双色调掩膜工艺进行曝光显影，其中，第一薄膜晶体管漏极与第二薄膜晶体管栅极的连接区域、数据线和电源线区域、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的源漏电极区域、以及像素电极区域为光刻胶完全保留区域；

第一薄膜晶体管的第一沟道区域和第二薄膜晶体管的第二沟道区域为光刻胶部分保留区域；

形成上述区域之外区域为光刻胶完全去除区域；

通过第一次刻蚀工艺，去除光刻胶完全去除区域对应的像素电极层、源漏金属层以及有源层薄膜，

通过灰化工艺除去所述部分保留区域对应的光刻胶，形成第一沟道区域和第二沟道区域；

通过第二次刻蚀工艺，去除光刻胶部分保留区域对应的像素电极层和源漏金属层；

剥离剩余光刻胶层，形成第一薄膜晶体管漏极与第二薄膜晶体管栅极的连接区域的图案、数据线和电源线区域的图案、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的源漏电极区域的图案以及像素电极的图案。

8.如权利要求1-6任一权利要求所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，源漏金属层包括第一金属层和第二金属层。

9.如权利要求1-6任一权利要求所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，有源层采用IGZO、ITZO、IZO、Cu2O、GZO、AZO、HfIZO、ZnoN材料中的一种或多种，或者采用非晶硅、多晶硅、微晶硅材料中的一种或多种。