[发明专利]一种基于肖特基接触的光敏有机薄膜晶体管及其制备方法

摘要

本发明公布了一种基于肖特基接触的光敏有机薄膜晶体管及其制备方法，包括衬底、栅电极、栅极绝缘层、具有光探测功能的有机层、源电极、漏电极，有机层与源电极、漏电极形成肖特基接触，界面具很高的接触势垒，器件在无光照时即使存在栅压和漏极电压，仍能保持关断，但是在外界光源的照射下，有机层处产生的激子在栅电场作用下，解离成电子和空穴，电子在源电极、漏电极处聚集，降低了有机层和源电极、漏电极的接触势垒，在漏极电压下形成沟道电流。本发明由于在无光照时器件保持关断，故能获得高灵敏度的光响应，并且结构简单，且能获得高的光灵敏度。

主权项

基于肖特基接触的光敏有机薄膜晶体管，包括衬底、栅电极、栅极绝缘层、具有光探测功能的有机层、源电极、漏电极，其特征在于，所述栅电极刻蚀在玻璃衬底上，栅极绝缘层位于栅电极表面上，有机层位于绝缘层上，源电极和漏电极分别位于有机层的左右两端，所述有机层既为有机薄膜场效应晶体管器件的基本结构组成部分又作为敏感功能层；其中，有机层和源电极、漏电极形成肖特基接触。