[发明专利]一种基于肖特基接触的光敏有机薄膜晶体管及其制备方法

权利要求书

1.基于肖特基接触的光敏有机薄膜晶体管，包括衬底、栅电极、栅极绝缘层、具有光探测功能的有机层、源电极、漏电极，其特征在于，所述栅电极刻蚀在玻璃衬底上，栅极绝缘层位于栅电极表面上，有机层位于绝缘层上，源电极和漏电极分别位于有机层的左右两端，所述有机层既为有机薄膜场效应晶体管器件的基本结构组成部分又作为敏感功能层；其中，有机层和源电极、漏电极形成肖特基接触。

2.根据权利要求1所述的基于肖特基接触的光敏有机薄膜晶体管，其特征在于，所述有机层为并五苯，厚度为5-500 nm。

3.根据权利要求1所述基于肖特基接触的光敏有机薄膜晶体管，其特征在于，并五苯的HOMO能级约为4.9 eV，与之对应的形成肖特基接触的金属为功函数低的金属Ag、Al、In 、Mg、Mg: Ag(10:1)。

4.根据权利要求1所述基于肖特基接触的光敏有机薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层为无机栅极绝缘层，其材料采用SiOx、Si3N4、Ta2O5、TiO2、Al2O3、锆钛酸钡BZT、BST钛酸锶钡，有机栅极绝缘层材料采用聚乙酸乙烯酯PVA、聚对乙烯苯酚PVP、聚苯乙烯PS、聚甲基丙烯酸甲脂PMMA、聚有机硅氧烷RSiOx、聚酞亚胺PI、苯并环丁烯BCB、聚四氟乙烯PTFE、丙烯晴链淀粉酶、聚对二甲基苯Parylene-C、硅基倍半氧烷树脂SR、氰乙基普鲁士蓝CYEPL。

5.根据权利要求1所述的光敏有机薄膜晶体管，其特征在于，所述衬底由硅片、玻璃、聚合物薄膜或金属箔制成。

6.一种基于肖特基接触的光敏有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

①先对衬底进行彻底的清洗，清洗后干燥；

②在衬底表面制备栅电极；

③在栅电极上面制备栅极绝缘层并对绝缘层进行处理；

④在所述栅极绝缘层上制备用于探测光的有机层；

⑤在有机层上制备源电极和漏电极。

7.根据权利要求6所述的基于肖特基接触的光敏有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述栅电极、源电极、漏电极通过真空热蒸镀、磁控溅射、等离子体增强的化学气相沉积、丝网印刷、打印或旋涂中的任一方法制备。

8.根据权利要求6所述的基于肖特基接触的光敏有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述栅极绝缘层通过等离子体增强的化学气相沉积、热氧化、旋涂或者真空蒸镀中的任一方法制备。

9.根据权利要求6所述的基于肖特基接触的光敏有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述有机层通过等离子体增强的化学气相沉积、热氧化、旋涂、真空蒸镀、旋涂、滴膜、压印、印刷或气喷中的任一方法制备。