[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201380079685.7 | 申请日： | 2013-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN105556661B | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 远井茂男 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/861;H01L23/495 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，其在对表面电极进行焊料接合的情况下，在伴随加热或冷却的条件下具有高耐量。本发明具有：第1导电型的漂移层(12)；栅极构造，其形成在漂移层(12)之上的第1区域；表面电极(2)，其覆盖第1区域以及漂移层(12)之上的第2区域而配置；接合层(40)，其局部地形成在表面电极(2)之上；焊料层(3)，其形成在接合层(40)之上；以及引线框(1)，其配置在焊料层(3)之上。接合层(40)将与第1区域对应的表面电极(2)之上的区域覆盖，且接合层(40)的端部位于与第2区域对应的表面电极(2)之上的区域。在第2区域形成有二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：第1导电型的漂移层；栅极构造，其形成在所述漂移层之上的部分区域即第1区域；表面电极，其覆盖所述第1区域以及所述漂移层之上的其他区域即第2区域而配置；接合层，其局部地形成在所述表面电极之上；焊料层，其形成在所述接合层之上；以及引线框，其配置在所述焊料层之上，所述接合层将与所述第1区域对应的所述表面电极之上的区域覆盖，且所述接合层的端部位于与所述第2区域对应的所述表面电极之上的区域，在所述第2区域形成有二极管。
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