[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

第1导电型的漂移层；

栅极构造，其形成在所述漂移层之上的部分区域即第1区域；

表面电极，其覆盖所述第1区域以及所述漂移层之上的其他区域即第2区域而配置；

接合层，其局部地形成在所述表面电极之上；

焊料层，其形成在所述接合层之上；以及

引线框，其配置在所述焊料层之上，

所述接合层将与所述第1区域对应的所述表面电极之上的区域覆盖，且所述接合层的端部位于与所述第2区域对应的所述表面电极之上的区域，

在所述第2区域形成有二极管。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述栅极构造具有：

第2导电型的基极层，其形成在所述漂移层之上的所述第1区域；

槽，其从所述基极层表层到达至所述漂移层内而形成；

栅极绝缘膜，其沿所述槽的侧面及底面而形成；

栅极电极，其形成在所述槽内的所述栅极绝缘膜的内侧；

第1导电型的源极层，其在所述基极层表层夹着所述槽而形成；以及

第1层间绝缘膜，其覆盖所述源极层的一部分和所述槽而形成。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述基极层也形成在所述漂移层之上的所述第2区域，

在所述第2区域形成有PiN二极管，该PiN二极管具有所述漂移层与所述基极层之间的PN结。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第2区域形成有肖特基势垒二极管，该肖特基势垒二极管具有所述漂移层与所述表面电极之间的肖特基结。

5.一种半导体装置，其特征在于，具有：

第1导电型的漂移层；

栅极构造，其形成在所述漂移层之上的部分区域即第1区域；

表面电极，其覆盖所述第1区域以及所述漂移层之上的其他区域即第2区域而配置；

接合层，其局部地形成在所述表面电极之上；

焊料层，其形成在所述接合层之上；

引线框，其配置在所述焊料层之上；以及

配线构造，其配置在所述第2区域之上，

所述接合层将与所述第1区域对应的所述表面电极之上的区域覆盖，且所述接合层的端部位于与所述第2区域对应的所述表面电极之上的区域，

所述表面电极覆盖所述配线构造而配置，

所述配线构造具有：

多晶硅；以及

第2层间绝缘膜，其覆盖所述多晶硅而形成。

6.一种半导体装置，其特征在于，具有：

第1导电型的漂移层；

第2导电型的基极层，其形成在所述漂移层之上；

槽，其从所述基极层表层到达至所述漂移层内而形成；

栅极绝缘膜，其沿所述槽的侧面及底面而形成；

栅极电极，其形成在所述槽内的所述栅极绝缘膜的内侧；

第1导电型的源极层，其在所述基极层表层夹着所述槽而形成；

层间绝缘膜，其覆盖所述源极层的一部分和所述槽而形成；

表面电极，其覆盖所述基极层及所述层间绝缘膜而配置；

绝缘层，其局部地形成在所述表面电极之上；

接合层，其形成为，将所述绝缘层的端部覆盖，且将所述表面电极之上的未形成所述绝缘层的区域覆盖；

焊料层，其形成在所述接合层之上；以及

引线框，其配置在所述焊料层之上。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述绝缘层是聚酰亚胺层。

8.一种半导体装置，其特征在于，具有：

第1导电型的漂移层；

第2导电型的基极层，其形成在所述漂移层之上；

槽，其从所述基极层表层到达至所述漂移层内而形成；

栅极绝缘膜，其沿所述槽的侧面及底面而形成；

栅极电极，其形成在所述槽内的所述栅极绝缘膜的内侧；

第1导电型的源极层，其在所述基极层表层夹着所述槽而形成；

层间绝缘膜，其覆盖所述源极层的一部分和所述槽而形成；

表面电极，其覆盖所述基极层及所述层间绝缘膜而配置；

异种金属层，其局部地形成在所述表面电极之上，由与表面电极不同的金属构成；

接合层，其形成在所述异种金属层之上，由于该异种金属层介于所述表面电极与所述接合层之间，从而减弱了所述接合层与所述表面电极的密接性；

焊料层，其形成在所述接合层之上；以及

引线框，其配置在所述焊料层之上。