[发明专利]热处理装置的腔室及其制造方法在审
| 申请号： | 201380079551.5 | 申请日： | 2013-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN105531808A | 公开（公告）日： | 2016-04-27 |
| 发明（设计）人： | 李炳一;李永浩;许官善 | 申请（专利权）人： | 泰拉半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 姜虎;陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及热处理装置的腔室及其制造方法。本发明涉及的腔室(100)为热处理装置的腔室，其特征在于，包括，主体(110)，提供装载基板(45)并对其进行热处理的空间；多个肋条(120)，以放射状围绕主体(110)的外面，并沿着主体(110)的长度方向以相同间隔配置，所述主体(110)由第一金属板(111)以及第二金属板(112)的接合体构成，其中，所述第一金属板(111)构成所述主体(110)的外面，所述第二金属板(112)构成所述主体(110)的内面。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种热处理装置的腔室，其特征在于，包括：主体，提供装载基板并对其进行热处理的空间；多个肋条，以放射状围绕所述主体的外面，并沿着所述主体的长度方向以相同间隔配置，所述主体由第一金属板以及第二金属板的接合体构成，其中，所述第一金属板构成所述主体的外面，所述第二金属板构成所述主体的内面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
