[发明专利]热处理装置的腔室及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种热处理装置的腔室及其制造方法。更加详细而言，涉及 一种接合构成主体的外面的第一金属板以及构成主体的内面的第二金属板来 构成主体，从而增加刚性和耐腐蚀性的热处理装置的腔室及其制造方法。

背景技术

时至今日，为了减少对日益枯竭的化石燃料的依赖性，对于利用不会枯 竭且环保的太阳能的太阳能电池(SolarCell)等的研究开发进行得很活跃。

作为该研究开发的一个环节，开发出了一种形成有CIGS{Cu(In_1-xGa_x)Se₂} 层的薄膜型太阳能电池，其太阳光的吸收率高，太阳光或放射线引起的劣化 现象少，可实现薄膜化，可节约制造材料成本。

薄膜型太阳能电池是包括如下的多层层积结构，即玻璃等基板、形成于 基板上并由金属层构成的作为(+)极的电极层、形成于电极层上并吸收光的 p型的CIGS层、形成于CIGS层上的n型的缓冲层、以及形成于缓冲层上的 作为(-)极的透明电极层。

因此，如果太阳光通过作为受光部的透明电极层射入，则在p-n接合部位 附近生成被激发的具有大致1.04eV的带隙能量的一对电子以及空穴。并且， 被激发的电子和空穴通过扩散到达p-n接合部，通过接合部的内部电场，电子 分离后集合到n区域，空穴分离后集合到p区域。

这时，n区域带负电，p区域带正电，形成于各区域的电极之间产生电势 差。并且，将电势差作为电动势，用导线连接各电极之间，则能够获得光电 流。

薄膜型太阳电池的CIGS层的形成方法经过如下工序，即前体膜形成工 序，在形成于基板上的电极层上以适当比率真空溅射铜、铟、镓等元素，从 而形成前体膜；硒化(selenization)工序，向如此沉积的前体膜上供应硒化氢 (H₂Se)气体并对基板施加温度。根据这样的一系列的工序，可以形成具有 铜(Cu)、铟(In)、镓(Ga)以及硒(Se)元素的适当组成比的CIGS{Cu(In_1-xGa_x)Se₂} 层。

该硒化工序为如下所述的工序，即将形成有前体膜的基板装载于密闭的 腔室，用惰性气体填充腔室后，将作为处理气体的硒化氢(H₂Se)导入到腔 室后，使腔室升温至一定温度并保持一定时间，从而形成硒化的CIGS层。

现有的用于形成CIGS层的热处理装置的腔室，由于由单金属制造，因此 若使用对于诸如H₂Se、H₂S等工艺气体耐腐蚀性弱的金属时，腔室内部被腐 蚀，寿命缩短，若使用对于诸如H₂Se、H₂S等工艺气体耐腐蚀性强的金属时， 腔室会受到因外部撞击产生裂纹等损伤，或因通常使用高价的材料导致费用 增加。另外，由于腔室损伤，因此存在腔室内部的气体会向外部泄露的问题。

作为用于解决上述问题的现有技术，虽然有公开了耐腐蚀性提高的部件 的韩国公开特许公报第10-2006-0050203号等，但是更需要耐腐蚀性和刚性均 能确保的腔室。

发明内容

发明所要解决的技术问题

因此，本发明是为了解决上述现有技术的问题而提出的，其目的在于， 提供一种提高耐腐蚀性和刚性并且费用低廉的热处理装置的腔室及其制造方 法。

另外，本发明的目的在于，提供一种简化内部结构且增加扩展性以便能 够具备多个腔室的热处理装置的腔室及其制造方法。

解决问题的技术方案

本发明的上述目的由如下所述的热处理装置的腔室来实现，该热处理装 置包括：主体，提供装载基板并对其进行热处理的空间；多个肋条，以放射 状围绕所述主体的外面，并沿着所述主体的长度方向以相同间隔配置，所述 主体由第一金属板以及第二金属板的接合体构成，其中，所述第一金属板构 成所述主体的外面，所述第二金属板构成所述主体的内面。

所述主体可以由多个单位主体构成。

所述主体可以通过焊接所述多个单位主体的一端边缘而制造。

可以利用爆炸焊接、热轧或组装方式将所述第一金属板以及所述第二金 属板接合。