[发明专利]具有Ⅲ-Ⅴ族材料有源区和渐变栅极电介质的半导体器件有效
| 申请号： | 201380079113.9 | 申请日： | 2013-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN105556676B | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | G·杜威;M·拉多萨夫列维奇;R·皮拉里塞泰;M·V·梅茨 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了具有Ⅲ‑Ⅴ族材料有源区和渐变栅极电介质的半导体器件以及制造这种器件的方法。在示例中，半导体器件包括设置在衬底上方的Ⅲ‑Ⅴ族材料沟道区。栅极叠置体设置在所述Ⅲ‑Ⅴ族材料沟道区上。所述栅极叠置体包括直接设置在Ⅲ‑Ⅴ材料沟道区与栅极电极之间的渐变高k栅极电介质层。所述渐变高k栅极电介质层在邻近所述Ⅲ‑Ⅴ材料沟道区处具有较低的介电常数，并且在邻近所述栅极电极处具有较高的介电常数。源极区/漏极区设置在所述栅极叠置体的任一侧上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 材料 有源 渐变 栅极 电介质 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：Ⅲ‑Ⅴ族材料沟道区，所述Ⅲ‑Ⅴ族材料沟道区设置在衬底上方；栅极叠置体，所述栅极叠置体设置在所述Ⅲ‑Ⅴ族材料沟道区上，所述栅极叠置体包括渐变高k栅极电介质层，所述渐变高k栅极电介质层直接设置在所述Ⅲ‑Ⅴ材料沟道区与栅极电极之间，其中，所述渐变高k栅极电介质层在邻近所述Ⅲ‑Ⅴ材料沟道区处具有较低的介电常数，并且在邻近所述栅极电极处具有较高的介电常数，其中，所述渐变高k栅极电介质层包括MAlOx，所述MAlOx在邻近所述Ⅲ‑Ⅴ材料沟道区处具有较高的铝浓度，并且在邻近所述栅极电极处具有较低的铝浓度，其中，M选自由Ta、Zr、Hf、Gd、以及Ti组成的组；以及源极区/漏极区，所述源极/漏极区设置在所述栅极叠置体的任一侧上。
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