[发明专利]掩模糊料组合物、使用其得到的半导体元件及半导体元件的制造方法

摘要

本发明涉及一种掩模糊料组合物，其特征在于，含有：(a)特定的聚硅氧烷；(b)二氧化硅粒子，其平均粒径为150nm以下；(c)溶剂，其沸点为130℃以上，(a)聚硅氧烷的重均分子量为1000以上，组合物固态成分中的二氧化硅粒子为20重量％以上且70重量％以下，组合物整体中的P、B及Al浓度各自为20ppm以下。利用该掩模糊料组合物，提供固化前的溶液的保存稳定性、涂布时的图案形成性优异、涂布后的杂质扩散工序中的掩蔽性、耐裂纹性优异的掩模糊料组合物。

主权项

1.一种掩模糊料组合物，其特征在于，含有：(a)聚硅氧烷，其是使通式(1)表示的有机硅烷中的1种以上进行反应而合成的；(b)二氧化硅粒子，其平均粒径为150nm以下；(c)溶剂，其沸点为130℃以上，(a)聚硅氧烷的重均分子量为1000以上，组合物固态成分中的二氧化硅粒子为20重量％以上且70重量％以下，组合物整体中的P、B及Al浓度各自为20ppm以下，其中，组合物固态成分中的碳原子数6～15的芳基的浓度为15重量％以上，所述掩模糊料组合物含有选自丙烯酸酯系树脂、聚环氧乙烷、聚环氧丙烷中的任意一种以上的成分，(R1)nSi(OR2)4-n (1)式中，R1表示氢、碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的链烯基或碳原子数6～15的芳基中的任一种，多个R1各自可以相同也可以不同；R2表示氢、碳原子数1～6的烷基、碳原子数2～6的酰基、碳原子数6～15的芳基中的任一种，多个R2各自可以相同也可以不同；n表示0～3的整数。