[发明专利]掩模糊料组合物、使用其得到的半导体元件及半导体元件的制造方法

权利要求书

1.一种掩模糊料组合物，其特征在于，含有：(a)聚硅氧烷，其是使通式(1)表示的有机硅烷中的1种以上进行反应而合成的；(b)二氧化硅粒子，其平均粒径为150nm以下；(c)溶剂，其沸点为130℃以上，(a)聚硅氧烷的重均分子量为1000以上，组合物固态成分中的二氧化硅粒子为20重量％以上且70重量％以下，组合物整体中的P、B及Al浓度各自为20ppm以下，其中，

组合物固态成分中的碳原子数6～15的芳基的浓度为15重量％以上，所述掩模糊料组合物含有选自丙烯酸酯系树脂、聚环氧乙烷、聚环氧丙烷中的任意一种以上的成分，

(R1)nSi(OR2)4-n (1)

式中，R1表示氢、碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的链烯基或碳原子数6～15的芳基中的任一种，多个R1各自可以相同也可以不同；R2表示氢、碳原子数1～6的烷基、碳原子数2～6的酰基、碳原子数6～15的芳基中的任一种，多个R2各自可以相同也可以不同；n表示0～3的整数。

2.如权利要求1所述的掩模糊料组合物，所述掩模糊料组合物的粘度为3000mPa·s以上。

3.如权利要求1所述的掩模糊料组合物，其中，组合物中的选自丙烯酸酯系树脂、聚环氧乙烷、聚环氧丙烷中的任意一种以上的成分的含量为1重量％以上且10重量％以下。

4.如权利要求1～3中任一项所述的掩模糊料组合物，其特征在于，含有磺酸或其盐、或者羧酸或其盐中的任一种。

5.如权利要求4所述的掩模糊料组合物，其特征在于，作为磺酸盐含有磺酸鎓盐。

6.一种掩模层，其是将权利要求1～5中任一项所述的掩模糊料组合物固化而成的。

7.一种半导体元件，其是形成权利要求6所述的掩模层而成的。

8.一种半导体元件，其是将权利要求6所述的掩模层作为掩模使杂质扩散而成的。

9.如权利要求7或8所述的半导体元件，其中，所述半导体元件为光电转换元件。

10.半导体元件的制造方法，其特征在于，包括下述工序：

使用权利要求1～5中任一项所述的掩模糊料组合物，在半导体衬底上形成掩模图案的工序；和

将形成在所述半导体衬底上的所述掩模图案作为掩模，使杂质扩散至所述半导体衬底中的工序。

11.如权利要求10所述的半导体元件的制造方法，其中，所述形成掩模图案的工序包括下述工序：

使用权利要求1～5中任一项所述的掩模糊料组合物，在半导体衬底上涂布图案的工序；和

在氧浓度为5％以上的气氛下，在400℃以上且900℃以下的温度范围内对所述图案加热5分钟以上的工序。