[发明专利]半导体装置的制造方法以及PIN二极管有效
| 申请号： | 201380078145.7 | 申请日： | 2013-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN105378923B | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 藤井秀纪 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/20;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在半导体衬底(1)形成IGBT(15)。在半导体衬底(1)上利用多晶硅或者非晶硅形成温度感测二极管(17)。在形成IGBT(15)之后将温度感测二极管(17)的一部分选择性地氧化或者升华，从而将温度感测二极管(17)分割为多个二极管。由此，能够消除由多晶硅的完成尺寸的波动导致的对特性的影响。其结果，能够抑制特性波动并实现小型化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 以及 pin 二极管 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：在半导体衬底形成晶体管的工序；在所述半导体衬底上利用多晶硅或者非晶硅形成PIN二极管的工序；在形成所述晶体管之后使所述PIN二极管的一部分选择性地氧化或升华，从而将所述PIN二极管分割为多个二极管的工序；以及对所述多个二极管的一部分选择性地进行热处理而进行再结晶化、氧化或者晶粒大小的变更的工序，所述PIN二极管具有横向排列配置的n型层、i型层以及p型层，将所述n型层选择性地再结晶化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
