[发明专利]用于利用带电粒子束的倾斜或掠射研磨操作的基准设计有效
| 申请号： | 201380074020.7 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN105264635B | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | S.斯通;S.H.李;J.布拉克伍德;M.施米德;H.H.金 | 申请（专利权）人： | FEI公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张凌苗;胡莉莉 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于利用带电粒子束分析样本的方法，所述方法包括将束引导向样本表面；研磨表面以暴露在样本中的第二表面，其中研磨在离子源远侧的第二表面的端部到比在离子源近侧的第一表面的端部大的相对于参考深度的深度；将带电粒子束引导向第二表面以形成第二表面的一个或多个图像；通过检测电子束与第二表面的相互作用,形成感兴趣的多个相邻特征的横截面的图像；将横截面的图像装配成感兴趣的特征中的一个或多个的三维模型。提供了一种用于改进的基准和在纳米级三维结构中形成确定暴露的特征的深度的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 利用 带电 粒子束 倾斜 研磨 操作 基准 设计 | ||
【主权项】：
1.一种用于利用带电粒子束分析样本的方法，所述方法包括：将带电粒子束引导向样本的第一表面；研磨第一表面以暴露在样本中的第二表面，其中研磨在离子源远侧的第二表面的端部到比在离子源近侧的第一表面的端部大的相对于参考深度的深度；将带电粒子束引导向第二表面以形成第二表面的一个或多个图像；通过检测电子束与第二表面的相互作用，形成感兴趣的多个相邻特征的横截面的图像；将横截面的图像装配成感兴趣的特征中的一个或多个的三维模型。
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