[发明专利]利用硬掩模层的纳米线晶体管制造

摘要

本说明的纳米线器件可以用以下方法产生：在至少一个纳米线晶体管的制造期间并入至少一个硬掩模以帮助保护最上层沟道纳米线使其免受可能由诸如置换栅极工艺和/或纳米线释放工艺中使用的那些工艺等的制造工艺所产生的损害。至少一个硬掩模的使用可以在多层堆叠的纳米线晶体管中产生大体上无损害的最上层沟道纳米线，这可以提高沟道纳米线的均匀性和整个多层堆叠的纳米线晶体管的可靠性。

主权项

1.一种纳米线晶体管，包括：形成在微电子衬底上方的多个纳米线沟道，每个纳米线沟道具有第一端、相对的第二端、以及顶表面，其中，所述多个纳米线沟道彼此间隔开，所述多个纳米线沟道中的一个纳米线沟道被设置为比所述多个纳米线沟道中的剩余纳米线沟道更加远离所述微电子衬底；源极结构，其与所述多个纳米线沟道中的每个纳米线沟道的第一端邻接；漏极结构，其与所述多个纳米线沟道中的每个纳米线沟道的第二端邻接；第一间隔体和第二间隔体，所述第一间隔体靠近所述多个纳米线沟道中的每个纳米线沟道的第一端设置，所述第二间隔体靠近所述多个纳米线沟道中的每个纳米线沟道的第二端设置，其中，所述第一间隔体与所述多个纳米线沟道中的每个纳米线沟道物理接触，以及其中，所述第二间隔体与所述多个纳米线沟道中的每个纳米线沟道物理接触；第一硬掩模部分，其与所述第一间隔体邻接，其中，所述第一硬掩模部分和所述第一间隔体是分开的结构；第二硬掩模部分，其与所述第二间隔体邻接，其中，所述第二硬掩模部分和所述第二间隔体是分开的结构；以及栅极电介质材料，其与所述多个纳米线沟道中的比所述多个纳米线沟道中的剩余纳米线沟道更加远离所述微电子衬底的所述一个纳米线沟道的顶表面邻接，其中，所述栅极电介质材料被设置在所述第一硬掩模部分和所述第二硬掩模部分之间；其中，所述第一硬掩模部分邻接所述源极结构，邻接所述栅极电介质材料，以及邻接所述多个纳米线沟道中的比所述多个纳米线沟道中的剩余纳米线沟道更加远离所述微电子衬底的所述一个纳米线沟道的顶表面，使得所述第一硬掩模部分覆盖所述源极结构和所述栅极电介质材料之间的、所述多个纳米线沟道中的比所述多个纳米线沟道中的剩余纳米线沟道更加远离所述微电子衬底的所述一个纳米线沟道的顶表面的一部分，使得所述第一硬掩模部分在所述栅极电介质材料和所述多个纳米线沟道中的比所述多个纳米线沟道中的剩余纳米线沟道更加远离所述微电子衬底的所述一个纳米线沟道的所述第一端之间延伸，并且将所述第一间隔体与所述多个纳米线沟道中的比所述多个纳米线沟道中的剩余纳米线沟道更加远离所述微电子衬底的所述一个纳米线沟道的所述顶表面分隔开，以及其中，所述第二硬掩模部分邻接所述漏极结构，邻接所述栅极电介质材料，以及邻接所述多个纳米线沟道中的比所述多个纳米线沟道中的剩余纳米线沟道更加远离所述微电子衬底的所述一个纳米线沟道的顶表面，使得所述第二硬掩模部分覆盖所述漏极结构和所述栅极电介质材料之间的、所述多个纳米线沟道中的比所述多个纳米线沟道中的剩余纳米线沟道更加远离所述微电子衬底的所述一个纳米线沟道的顶表面的另一部分，使得所述第二硬掩模部分在所述栅极电介质材料和所述多个纳米线沟道中的比所述多个纳米线沟道中的剩余纳米线沟道更加远离所述微电子衬底的所述一个纳米线沟道的所述第二端之间延伸，并且将所述第二间隔体与所述多个纳米线沟道中的比所述多个纳米线沟道中的剩余纳米线沟道更加远离所述微电子衬底的所述一个纳米线沟道的所述顶表面分隔开。