[发明专利]利用硬掩模层的纳米线晶体管制造

权利要求书

1.一种纳米线晶体管，包括：

形成在微电子衬底上方的多个纳米线沟道，每个纳米线沟道具有第一端、相对的第二端、以及顶表面，其中，所述多个纳米线沟道彼此间隔开，所述多个纳米线沟道中的一个纳米线沟道被设置为比所述多个纳米线沟道中的剩余纳米线沟道更加远离所述微电子衬底；

源极结构，其与所述多个纳米线沟道中的每个纳米线沟道的第一端邻接；

漏极结构，其与所述多个纳米线沟道中的每个纳米线沟道的第二端邻接；

第一间隔体和第二间隔体，所述第一间隔体靠近所述多个纳米线沟道中的每个纳米线沟道的第一端设置，所述第二间隔体靠近所述多个纳米线沟道中的每个纳米线沟道的第二端设置，其中，所述第一间隔体与所述多个纳米线沟道中的每个纳米线沟道物理接触，以及其中，所述第二间隔体与所述多个纳米线沟道中的每个纳米线沟道物理接触；

第一硬掩模部分，其与所述第一间隔体邻接，其中，所述第一硬掩模部分和所述第一间隔体是分开的结构；

第二硬掩模部分，其与所述第二间隔体邻接，其中，所述第二硬掩模部分和所述第二间隔体是分开的结构；以及

栅极电介质材料，其与所述多个纳米线沟道中的比所述多个纳米线沟道中的剩余纳米线沟道更加远离所述微电子衬底的所述一个纳米线沟道的顶表面邻接，其中，所述栅极电介质材料被设置在所述第一硬掩模部分和所述第二硬掩模部分之间；

其中，所述第一硬掩模部分邻接所述源极结构，邻接所述栅极电介质材料，以及邻接所述多个纳米线沟道中的比所述多个纳米线沟道中的剩余纳米线沟道更加远离所述微电子衬底的所述一个纳米线沟道的顶表面，使得所述第一硬掩模部分覆盖所述源极结构和所述栅极电介质材料之间的、所述多个纳米线沟道中的比所述多个纳米线沟道中的剩余纳米线沟道更加远离所述微电子衬底的所述一个纳米线沟道的顶表面的一部分，使得所述第一硬掩模部分在所述栅极电介质材料和所述多个纳米线沟道中的比所述多个纳米线沟道中的剩余纳米线沟道更加远离所述微电子衬底的所述一个纳米线沟道的所述第一端之间延伸，并且将所述第一间隔体与所述多个纳米线沟道中的比所述多个纳米线沟道中的剩余纳米线沟道更加远离所述微电子衬底的所述一个纳米线沟道的所述顶表面分隔开，以及

其中，所述第二硬掩模部分邻接所述漏极结构，邻接所述栅极电介质材料，以及邻接所述多个纳米线沟道中的比所述多个纳米线沟道中的剩余纳米线沟道更加远离所述微电子衬底的所述一个纳米线沟道的顶表面，使得所述第二硬掩模部分覆盖所述漏极结构和所述栅极电介质材料之间的、所述多个纳米线沟道中的比所述多个纳米线沟道中的剩余纳米线沟道更加远离所述微电子衬底的所述一个纳米线沟道的顶表面的另一部分，使得所述第二硬掩模部分在所述栅极电介质材料和所述多个纳米线沟道中的比所述多个纳米线沟道中的剩余纳米线沟道更加远离所述微电子衬底的所述一个纳米线沟道的所述第二端之间延伸，并且将所述第二间隔体与所述多个纳米线沟道中的比所述多个纳米线沟道中的剩余纳米线沟道更加远离所述微电子衬底的所述一个纳米线沟道的所述顶表面分隔开。

2.根据权利要求1所述的纳米线晶体管，还包括与所述栅极电介质材料邻接的栅极电极材料。

3.根据权利要求1所述的纳米线晶体管，其中，所述第一硬掩模部分和所述第二硬掩模部分包括从包括以下材料的组中选择的材料：硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、碳氮化硅、碳化硅、氧化铝、氧化铪、氧化锆、硅酸钽、氧化镧、以及聚合物材料。

4.如权利要求3所述的纳米线晶体管，其中，所述硅包括多孔硅和非晶硅。

5.如权利要求3所述的纳米线晶体管，其中，所述氧化硅包括二氧化硅。

6.根据权利要求1所述的纳米线晶体管，其中，所述多个纳米线沟道包括硅锗。

7.根据权利要求1所述的纳米线晶体管，其中，所述多个纳米线沟道包括硅。

8.根据权利要求1所述的纳米线晶体管，其中，所述源极结构和所述漏极结构包括n掺杂的硅。