[发明专利]用于纳米线晶体管的漏电减少结构有效
| 申请号： | 201380073081.1 | 申请日： | 2013-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN105144390B | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | S·金;K·库恩;R·里奥斯;M·阿姆斯特朗 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王英;陈松涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本说明书的纳米线器件可以包括形成在至少一个纳米线晶体管与微电子衬底之间的高掺杂垫层，纳米线晶体管形成在微电子衬底上，其中，高掺杂垫层可以减小或基本上消除漏电和高栅极电容，漏电和高栅极电容可以发生在纳米线晶体管的栅极结构的底部。由于形成高掺杂垫层可能在纳米线晶体管的源极结构与漏极结构之间的界面处引起栅极感应的漏极漏电，因此可以在高掺杂垫层与纳米线晶体管之间形成薄的未掺杂或低掺杂材料层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 纳米 晶体管 漏电 减少 结构 | ||
【主权项】：
1.一种微电子结构，包括：微电子衬底；形成在所述微电子衬底上的至少一个纳米线晶体管；形成在所述微电子衬底与所述至少一个纳米线晶体管之间的高掺杂垫层；以及位于所述高掺杂垫层与所述纳米线晶体管之间的源极/漏极漏电屏障层，其中，所述源极/漏极漏电屏障层包括未掺杂的材料层。
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