[发明专利]绝热的平面波导耦合器转换器在审
| 申请号： | 201380069999.9 | 申请日： | 2013-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN105210175A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | R·欧内斯特·德玛雷 | 申请（专利权）人： | 德玛雷有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 胡良均 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了沉积材料以提供光从第一装置至第二装置的有效耦合的方法。一般地，所述方法包括如下步骤：将一个或多个晶片安装在旋转台上，一个或多个源靶下方连续旋转所述旋转台。供给处理气体，并且所述一个或多个源靶被驱动，同时使用射频偏压偏压晶片以在一个或多个晶片上沉积光学介电薄膜。在一些实施例中，荫罩板在沉积期间可以在一个或多个晶片上横向地平移。在一些实施例中，沉积的薄膜可以具有横向和/或水平的变化的折射率和/或横向的变化的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 绝热 平面 波导 耦合器 转换器 | ||
【主权项】：
一种沉积材料的方法，包括如下步骤：将一个或多个晶片安装在旋转台上；在一个或多个源靶下方连续旋转所述旋转台；供给处理气体；给所述一个或多个源靶供电；用射频偏压给所述一个或多个晶片提供偏压；并且在所述一个或多个晶片上沉积光学介电薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
