[发明专利]绝热的平面波导耦合器转换器在审
申请号: | 201380069999.9 | 申请日: | 2013-11-12 |
公开(公告)号: | CN105210175A | 公开(公告)日: | 2015-12-30 |
发明(设计)人: | R·欧内斯特·德玛雷 | 申请(专利权)人: | 德玛雷有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/203 | 分类号: | H01L21/203 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 胡良均 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 绝热 平面 波导 耦合器 转换器 | ||
1.一种沉积材料的方法,包括如下步骤:
将一个或多个晶片安装在旋转台上;
在一个或多个源靶下方连续旋转所述旋转台;
供给处理气体;
给所述一个或多个源靶供电;
用射频偏压给所述一个或多个晶片提供偏压;并且
在所述一个或多个晶片上沉积光学介电薄膜。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述光介电薄膜为两个或多个源靶的均匀合金。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述光学介电薄膜的成分沿所述薄膜的厚度变化。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述光学介电薄膜在整个所述一个或多个晶片上是均匀的。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,折射率根据预定的折射率轮廓随厚度而改变。
6.根据权利要求1所述的方法,还包括将荫罩板设置在位于所述旋转台上的晶片中的一个或多个上方。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,在沉积期间,所述荫罩板横向地平移跨过所述一个或多个晶片。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,随着所述荫罩板横向地平移,所沉积的薄膜改变成分。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,所沉积的薄膜的折射率能够具有横向的变化。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,所沉积的薄膜的折射率沿其厚度变化。
11.一种时钟驱动装置,包括:
齿轮,该齿轮啮合安装在沉积腔的壁上的销并且旋转;
驱动螺杆,该驱动螺杆连接至所述齿轮,所述驱动螺杆被连接以在晶片在旋转台上旋转时使荫罩板平移跨过晶片。
12.根据权利要求11所述的时钟驱动装置,其中,所述销能够被定位以使所述齿轮顺时针或逆时针旋转,或者所述销能够被脱开以提供静止的荫罩板。
13.一种波导耦合器,包括:
芯;
一个或多个覆层;以及
至少一个转换器层,该至少一个转换器层沉积在所述一个或多个覆层与所述芯之间,所述至少一个转换器层的材料性质在横向上均匀地改变,其中,所述至少一个转换器层在光通过量的方面产生改变。
14.根据权利要求13所述的波导,其中,所述材料性质是层厚度。
15.根据权利要求13所述的波导,其中,所述材料性质是折射率。
16.根据权利要求13所述的波导,其中,所述至少一个转换器层中的一个包括一个或多个磷光掺杂剂。
17.根据权利要求13所述的波导,其中,所述至少一个转换器层形成一个或多个水平的PIN结。
18.根据权利要求13所述的波导,其中,聚集的太阳辐射被耦合至波导。
19.根据权利要求13所述的波导,其中,所述一个或多个转换器层包括邻近波导的成形的渐变层。
20.根据权利要求19所述的波导,其中,所述波导包括将太阳辐射耦合至光纤中的第二波导耦合器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造