[发明专利]半导体光集成电路在审
| 申请号： | 201380068141.0 | 申请日： | 2013-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN104871379A | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | 水村通伸 | 申请（专利权）人： | 株式会社V技术 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026;H01L31/10;H01L33/02;H01S5/50 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;杨生平 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体光集成电路，其通过发光功能部与光波导部的无边界化，不使用光耦合器而实现了较高的光耦合效率。半导体光集成电路(1)具备：半导体基板(10)；形成于半导体基板(10)且沿着信号传输路径连续延设的pn接合部(10pn)；形成于pn接合部(10pn)上的一部分的发光功能部(2)；以及形成于与发光功能部(2)连续的pn接合部(10pn)上的光波导部(3)。发光功能部(2)向pn接合部(10pn)供给驱动电流，由pn接合部(10pn)产生光信号，光波导部(3)通过被供给于pn接合部(10pn)的放大电流，一边放大光信号，一边传输光信号。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
一种半导体光集成电路，其特征在于，所述半导体光集成电路具备：半导体基板、形成于所述半导体基板，且沿着信号传输路径连续延设的pn接合部、形成于所述pn接合部上的一部分的发光功能部、以及形成于与所述发光功能部连续的所述pn接合部上的光波导部，所述发光功能部向所述pn接合部供给驱动电流，由该pn接合部产生光信号，所述光波导部通过被供给于所述pn接合部的放大电流，一边放大所述光信号，一边传输所述光信号。
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