[发明专利]半导体光集成电路

权利要求书

1.一种半导体光集成电路，其特征在于，

所述半导体光集成电路具备：半导体基板、形成于所述半导体基板，且沿着信号传输路径连续延设的pn接合部、形成于所述pn接合部上的一部分的发光功能部、以及形成于与所述发光功能部连续的所述pn接合部上的光波导部，

所述发光功能部向所述pn接合部供给驱动电流，由该pn接合部产生光信号，

所述光波导部通过被供给于所述pn接合部的放大电流，一边放大所述光信号，一边传输所述光信号。

2.根据权利要求1所述的半导体光集成电路，其特征在于，

所述pn接合部是通过一边向第2半导体层照射光，一边实施退火处理而获得的，所述第2半导体层是在所述半导体基板中的第1半导体层以高浓度掺杂杂质而获得的。

3.根据权利要求2所述的半导体光集成电路，其特征在于，

所述半导体基板为Si基板，

所述第1半导体层为在所述半导体基板掺杂15族元素的n型半导体层，

所述第2半导体层为掺杂13族元素作为所述杂质的p型半导体层。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体光集成电路，其特征在于，

所述发光功能部设置于所述pn接合部上的一端侧，在该pn接合部上的另一端侧设置有受光功能部。