[发明专利]碳化硅半导体器件在审
| 申请号： | 201380065816.6 | 申请日： | 2013-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN104871316A | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | 和田圭司;增田健良;日吉透 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/12;H01L29/47;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/868;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种碳化硅半导体器件(1)提供有碳化硅衬底(10)。碳化硅衬底(10)由提供有半导体元件部(7)的元件区(IR)以及在平面图中观察时围绕元件区(IR)的终端区(OR)构成。半导体元件部(7)包括具有第一导电类型的漂移区(12)。终端区(OR)包括接触元件区(IR)并具有不同于第一导电类型的第二导电类型的第一电场缓和区(2)，以及从平面图中观察时布置在第一电场缓和区(2)更外侧、具有第二导电类型并与第一电场缓和区(2)隔开的第二电场缓和区(3)。通过第一电场缓和区(2)的宽度(W1)除以漂移区(12)的厚度(T)计算的比值为0.5-1.83。由此，可提供在不使元件区太窄的情况下能提高击穿电压的碳化硅半导体器件(1)。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种碳化硅半导体器件，包括碳化硅衬底，所述碳化硅衬底由设置有半导体元件部的元件区以及在平面图中观察时围绕所述元件区的终端区构成，所述半导体元件部包括具有第一导电类型的漂移区，所述终端区包括第一电场缓和区，所述第一电场缓和区接触所述元件区并且具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型，以及第二电场缓和区，所述第二电场缓和区从所述平面图中观察时布置在所述第一电场缓和区的外部，具有所述第二导电类型，并且与所述第一电场缓和区隔开，通过将所述第一电场缓和区的宽度除以所述漂移区的厚度计算出的比值不小于0.5且不大于1.83。
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