[发明专利]碳化硅半导体器件在审
| 申请号： | 201380065816.6 | 申请日： | 2013-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN104871316A | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | 和田圭司;增田健良;日吉透 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/12;H01L29/47;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/868;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 | ||
1.一种碳化硅半导体器件，包括碳化硅衬底，所述碳化硅衬底由设置有半导体元件部的元件区以及在平面图中观察时围绕所述元件区的终端区构成，
所述半导体元件部包括具有第一导电类型的漂移区，
所述终端区包括
第一电场缓和区，所述第一电场缓和区接触所述元件区并且具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型，以及
第二电场缓和区，所述第二电场缓和区从所述平面图中观察时布置在所述第一电场缓和区的外部，具有所述第二导电类型，并且与所述第一电场缓和区隔开，
通过将所述第一电场缓和区的宽度除以所述漂移区的厚度计算出的比值不小于0.5且不大于1.83。
2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体器件，其中，所述第二电场缓和区包括多个保护环部。
3.根据权利要求2所述的碳化硅半导体器件，其中，所述多个保护环部中的每一个都具有小于所述第一电场缓和区的宽度的宽度。
4.根据权利要求2或3所述的碳化硅半导体器件，其中，在从所述多个保护环部当中选择任意两个保护环部的情况下，在平面图中观察时布置在外周侧的保护环部具有不大于布置在内周侧的保护环部的宽度的宽度，并且布置在最外周侧的保护环部具有小于布置在最内周侧的保护环部的宽度的宽度。
5.根据权利要求2至4中的任一项所述的碳化硅半导体器件，其中，所述多个保护环部的数量不小于6且不大于15。
6.根据权利要求5所述的碳化硅半导体器件，其中，所述多个保护环部的数量不小于12且不大于15。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的碳化硅半导体器件，其中，所述碳化硅半导体器件是MOSFET、IGBT、肖特基势垒二极管以及P/N二极管中的任何一种。
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