[发明专利]半导体材料片材、用于形成它的系统和方法在审

专利信息
申请号: 201380063449.6 申请日: 2013-10-03
公开(公告)号: CN105121714A 公开(公告)日: 2015-12-02
发明(设计)人: S·比斯瓦斯;D·L·布兰丁;G·B·库克;P·马宗达;K·K·索尼;B·苏曼 申请(专利权)人: 康宁股份有限公司
主分类号: C30B29/64 分类号: C30B29/64;C30B29/42;C30B29/08;C30B29/06;C30B15/08
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 郭辉;项丹
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 使用一系统形成半导体材料片材的方法。所述系统包括沿着第一轴线延伸且能绕着第一轴线旋转的第一凸面元件,以及与第一凸面元件隔开的沿着第二轴线延伸且能绕着第二轴线旋转的第二凸面元件。第一和第二凸面元件限定了在它们之间的辊隙。所述方法包括在第一和第二凸面元件中的至少一个的外部表面上施加半导体材料熔体以在第一和第二凸面元件中的至少一个的外部表面上形成沉淀物。所述方法还包括以相互相对的方向旋转第一和第二凸面元件以允许沉淀物穿过辊隙,由此形成半导体材料片材。
搜索关键词: 半导体材料 用于 形成 系统 方法
【主权项】:
一种使用一系统形成半导体材料片材的方法,所述系统包括沿着第一轴线延伸且能绕着第一轴线旋转的第一凸面元件,以及与第一凸面元件隔开的沿着第二轴线延伸且能绕着第二轴线旋转的第二凸面元件,其中第一和第二凸面元件限定了在它们之间的辊隙,其中,第一和第二轴线基本上相互平行,所述方法包括下述步骤:在第一凸面元件和第二凸面元件中的至少一个的外部表面上施加半导体材料熔体以在第一凸面元件和第二凸面元件中的至少一个的外部表面上形成沉淀物;和以相互相对的方向旋转第一和第二凸面元件以允许沉淀物穿过辊隙,由此形成半导体材料片材。
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