[发明专利]半导体材料片材、用于形成它的系统和方法

权利要求书

1.一种使用一系统形成半导体材料片材的方法，所述系统包括沿着第一轴线延伸且能绕着第一轴线旋转的第一凸面元件，以及与第一凸面元件隔开的沿着第二轴线延伸且能绕着第二轴线旋转的第二凸面元件,其中第一和第二凸面元件限定了在它们之间的辊隙，其中，第一和第二轴线基本上相互平行,所述方法包括下述步骤：

在第一凸面元件和第二凸面元件中的至少一个的外部表面上施加半导体材料熔体以在第一凸面元件和第二凸面元件中的至少一个的外部表面上形成沉淀物；和

以相互相对的方向旋转第一和第二凸面元件以允许沉淀物穿过辊隙,由此形成半导体材料片材。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，施加半导体材料熔体在第一凸面元件上形成第一沉淀物和在第二凸面元件上形成第二沉淀物，其中将第一和第二沉淀物在辊隙处融合在一起以形成半导体材料片材。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，旋转第一和第二凸面元件包括使第一和第二凸面元件以相互相对的方向以基本上相同的角速度旋转。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，第一凸面元件包括第一圆柱辊筒，以及第二凸面元件包括第二圆柱辊筒。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述系统还包括邻近和接触第一圆柱辊筒并用于支承第一圆柱辊筒的第一圆柱对，以及邻近和接触第二圆柱辊筒并用于支承第二圆柱辊筒的第二圆柱对。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，第一和第二圆柱辊筒中的至少一个能沿着垂直于第一和第二轴线的轴线从初始位置调节到至少一个操作位置，从而第一和第二圆柱辊筒在初始位置时相互公称接触，且在操作位置当半导体材料穿过辊隙之间时限定辊隙的宽度。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，(a)第一和第二凸面元件具有100-400℃的基本上相同的温度(T_R)，半导体材料熔体具有温度(T_S)，从而T_S>T_R；(b)半导体材料片材的厚度为25-500微米；(c)半导体材料片材包括硅、锗、它们的化合物、它们的合金和它们的组合；(d)半导体材料熔体包括熔融硅、熔融锗、熔融砷化镓、它们的化合物、它们的合金或它们的组合；(e)第一和第二凸面元件独立地包括选自下组的材料：熔融石英、石墨、碳化硅、玻璃碳、类金刚石碳、氮化硅、单晶或多晶硅、它们的复合物以及它们的组合；或(f)上述(a)-(e)的任意组合。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还可包括下述步骤：至少部分再次熔融半导体材料片材以形成再次熔融的半导体材料，并重结晶再次熔融的半导体材料。

9.用于使用如权利要求1所述的方法形成半导体材料片材的系统。

10.使用如权利要求1所述的方法形成的半导体材料片材。