[发明专利]具有超结构造的纵型MOSFET的半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201380063128.6 | 申请日： | 2013-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN104838501A | 公开（公告）日： | 2015-08-12 |
| 发明（设计）人： | 江口浩次;小田洋平 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 夏斌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供具有超结构造的纵型MOSFET的半导体装置及其制造方法。半导体装置的制造方法为，准备在基板(11)上形成有第一半导体层(12)的半导体基板(10)，在上述第一半导体层形成第一凹部(12a)，在上述第一凹部内的上述第一半导体层上形成多个沟槽(15)，使填埋上述各沟槽内以及上述第一凹部内的第二半导体层(16)外延生长，形成具有由上述各沟槽内的上述第二半导体层与多个沟槽间的上述第一半导体层构成的PN柱的SJ构造，在上述SJ构造上形成通道层(17)和与该通道层相接的源极区域(18)，在上述通道层上经由栅极绝缘膜(22)形成栅极电极(23)，并形成与上述源极区域连接的源极电极(25)，在上述基板的背面形成漏极电极(26)，由此形成纵型MOSFET。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结构 mosfet 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有超结构造的纵型MOSFET的半导体装置的制造方法，包括：准备在由半导体材料构成的基板(11)的表面(11a)上形成有第一导电型的第一半导体层(12)的半导体基板(10)；通过以包括上述第一半导体层中的形成纵型MOSFET而用作为芯片的主区域的至少一部分的方式形成第一凹部(12a)，由此在上述第一半导体层形成阶差；包括上述第一凹部内在内地在上述第一半导体层上配置掩模(14)，使用该掩模在上述主区域中的上述第一凹部内对上述第一半导体层进行蚀刻，由此形成多个沟槽(15)；在将上述掩模中的至少形成于上述第一凹部内的部分除去之后，填埋上述各沟槽内以及上述第一凹部内并且在上述第一半导体层上使第二导电型的第二半导体层(16)外延生长；通过对上述第二半导体层进行平坦化研磨，由此将上述第二半导体层残留于上述各沟槽以及上述第一凹部，形成具有基于残留于上述各沟槽内的上述第二半导体层的第二导电型柱与基于配置于多个沟槽间的上述第一半导体层的第一导电型柱交替地反复的PN柱的超结构造；以及在上述超结构造上形成第一导电型的通道层(17)和与该通道层相接的第二导电型的源极区域(18)，并且在上述通道层的表面上经由栅极绝缘膜(22)形成栅极电极(23)，进而在上述半导体基板的表面侧形成与上述源极区域电连接的源极电极(25)，并且在上述半导体基板的背面侧形成与上述基板的背面连接的漏极电极(26)，由此形成纵型MOSFET。
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