[发明专利]保护膜形成用组合物、保护膜形成用片、以及带有固化保护膜的芯片在审
申请号: | 201380062132.0 | 申请日: | 2013-06-19 |
公开(公告)号: | CN104838489A | 公开(公告)日: | 2015-08-12 |
发明(设计)人: | 山本大辅;吾妻佑一郎 | 申请(专利权)人: | 琳得科株式会社 |
主分类号: | H01L23/29 | 分类号: | H01L23/29;C09D133/14;H01L23/31 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王利波 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种保护膜形成用组合物,其用于形成保护芯片表面的保护膜,该保护膜形成用组合物含有(A)丙烯酸类聚合物、(B)固化性成分、(C)无机填料,其中,相对于构成(A)丙烯酸类聚合物的全部结构单元,源自含缩水甘油基的单体的结构单元的含量为0~8质量%,且(A)成分的玻璃化转变温度为-3℃以上,(C)成分包含(C1)各向异性形状的氮化硼粒子。通过使用上述保护膜形成用组合物或具有由该组合物形成的保护膜的保护膜形成用片,能够形成散热性及粘接性优异的固化保护膜,可以制造可靠性高的带有保护膜的芯片。 | ||
搜索关键词: | 保护膜 形成 组合 以及 带有 固化 芯片 | ||
【主权项】:
一种保护膜形成用组合物,其用于形成保护芯片表面的保护膜,该保护膜形成用组合物含有(A)丙烯酸类聚合物、(B)固化性成分、(C)无机填料,其中,相对于构成(A)丙烯酸类聚合物的全部结构单元,源自含缩水甘油基的单体的结构单元的含量为0~8质量%,且(A)成分的玻璃化转变温度为‑3℃以上,(C)成分包含(C1)各向异性形状的氮化硼粒子。
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