[发明专利]保护膜形成用组合物、保护膜形成用片、以及带有固化保护膜的芯片

说明书

技术领域

本发明涉及设置在例如半导体芯片等的与芯片电路面相反一侧的面上用来对其进行保护的作为保护膜的形成材料的保护膜形成用组合物、具有由该组合物形成的保护膜的保护膜形成用片、以及带有固化保护膜的芯片。

背景技术

近年来，使用被称为所谓倒装(face down)方式的安装法进行了半导体装置的制造。在倒装方式中，使用在电路面上具有凸块等电极的半导体芯片(以下，也简称为“芯片”)，将该电极与基板接合。因此，与芯片的电路面相反一侧的面(芯片背面)有时会露出。

该露出的芯片背面有时通过由有机膜形成的保护膜进行保护，作为带有保护膜的芯片装入半导体装置中。一般来说，该带有保护膜的芯片可以利用旋涂法将液态树脂涂布在晶片背面，并进行干燥、固化而在晶片上形成保护膜，然后切割而得到。

然而，由于如上所述形成的保护膜的厚度精度不充分，因此，存在有时产品的成品率降低的问题。

为了解决上述问题，例如，在专利文献1中公开了一种芯片用保护膜形成用片，所述芯片用保护膜形成用片具有剥离片和形成在剥离片的剥离面上的保护膜形成层，所述保护膜形成层包含热固性成分和能量线固化性成分中的至少一种、以及粘合剂聚合物成分。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2002-280329号公报

发明内容

发明要解决的课题

然而，随着近年安装有半导体芯片的半导体装置的高密度化及该半导体装置制造工序的高速化，来自半导体装置的放热成为了问题。由于半导体装置的放热有时会使半导体装置变形而成为故障、破损的原因，有时会导致半导体装置运算速度的降低、误动作而使半导体装置的可靠性降低。因此，对于安装到高性能半导体装置中的半导体芯片要求具有有效的散热特性。

另外，对于应用于半导体芯片的保护膜，也要求与作为电路形成材料的铜箔等、以及保护层等被粘附物具有良好的粘接性。

另外，在半导体装置中安装有带有保护膜的半导体芯片的情况下，存在下述问题：由于半导体芯片反复放热和冷却而引起的温度变化，在半导体芯片与保护膜的接合部产生浮起、剥离、裂纹，从而使带有保护膜的芯片的可靠性降低。

本发明的目的在于提供一种保护膜形成用组合物、具有由该组合物形成的保护膜的保护膜形成用片、以及带有固化保护膜的芯片，所述保护膜形成用组合物能够形成散热性及粘接性优异的固化保护膜，能够制造可靠性高的带有固化保护膜的芯片。

解决课题的方法

本发明人等发现，通过在作为固化保护膜形成材料的保护膜形成用组合物中使源自含缩水甘油基的单体的结构单元的含量为特定的范围，并且含有具有给定玻璃化转变温度的丙烯酸类共聚物，而且同时含有固化性成分、及包含特定的氮化硼粒子的无机填料，能够解决上述课题，从而完成了本发明。

即，本发明提供下述〔1〕～〔14〕。

〔1〕一种保护膜形成用组合物，其用于形成保护芯片表面的保护膜，该保护膜形成用组合物含有(A)丙烯酸类聚合物、(B)固化性成分、(C)无机填料，其中，

相对于构成(A)丙烯酸类聚合物的全部结构单元，源自含缩水甘油基的单体的结构单元的含量为0～8质量％，且(A)成分的玻璃化转变温度为-3℃以上，

(C)成分包含(C1)各向异性形状的氮化硼粒子。

〔2〕上述〔1〕所述的保护膜形成用组合物，其中，相对于所述保护膜形成用组合物含有的有效成分的总量，(C1)成分的含量为3～40质量％。

〔3〕上述〔1〕或〔2〕所述的保护膜形成用组合物，其中，(C)成分还含有(C2)各向异性形状的氮化硼粒子以外的无机填料。

〔4〕上述〔3〕所述的保护膜形成用组合物，其中，(C2)成分为平均粒径10～40μm的球状无机填料。

〔5〕上述〔3〕或〔4〕所述的保护膜形成用组合物，其中，(C2)成分与(C1)成分的质量比[(C2)/(C1)]为1/2～7/1。

〔6〕上述〔1〕～〔5〕中任一项所述的保护膜形成用组合物，其中，(A)丙烯酸类聚合物包含源自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元(a1)、以及源自含有缩水甘油基以外的官能团的单体的结构单元(a2)。

〔7〕上述〔1〕～〔6〕中任一项所述的保护膜形成用组合物，其中，相对于构成(A)丙烯酸类聚合物的全部结构单元，源自具有碳原子数4以上的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元的含量为0～12质量％。

〔8〕上述〔1〕～〔7〕中任一项所述的保护膜形成用组合物，其还含有(D)着色剂。