[发明专利]穿硅光学互连有效
| 申请号： | 201380059116.6 | 申请日： | 2013-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN104781932B | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | K·卡斯考恩;S·顾;M·M·诺瓦克 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H04B10/80 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 唐杰敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一些实现提供了一种半导体器件，其包括第一管芯和光接收器。第一管芯包括背面层，该背面层具有足够薄的厚度以允许光信号穿过该背面层。光接收器被配置成接收通过第一管芯的背面层的若干光信号。在一些实现中，每个光信号源自耦合至第二管芯的对应的光发射器。在一些实现中，背面层是管芯基板。在一些实现中，光信号穿过背面层的基板部分。第一管芯进一步包括有效层。光接收器是有效层的一部分。在一些实现中，半导体器件包括第二管芯，该第二管芯包括光发射器。第二管芯耦合至第一管芯的背面。 | ||
| 搜索关键词： | 背面层 管芯 第二管 光接收器 半导体器件 光发射器 信号穿过 耦合 有效层 基板 光学互连 背面 配置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一管芯，包括：包括一个或多个晶体管的有效区域；以及耦合到所述有效区域的背面层，所述背面层具有的厚度足够薄以允许从光发射器发射的光信号穿过所述背面层；以及光接收器，其被配置成接收通过所述第一管芯的所述背面层和所述第一管芯的所述有效区域的至少一部分的所述光信号，其中所述光接收器不同于所述第一管芯的所述有效区域。
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