[发明专利]穿硅光学互连有效
申请号: | 201380059116.6 | 申请日: | 2013-11-14 |
公开(公告)号: | CN104781932B | 公开(公告)日: | 2018-07-03 |
发明(设计)人: | K·卡斯考恩;S·顾;M·M·诺瓦克 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H04B10/80 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 唐杰敏 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 背面层 管芯 第二管 光接收器 半导体器件 光发射器 信号穿过 耦合 有效层 基板 光学互连 背面 配置 | ||
1.一种半导体器件,包括:
第一管芯,包括:
包括一个或多个晶体管的有效区域;以及
耦合到所述有效区域的背面层,所述背面层具有的厚度足够薄以允许从光发射器发射的光信号穿过所述背面层;以及
光接收器,其被配置成接收通过所述第一管芯的所述背面层和所述第一管芯的所述有效区域的至少一部分的所述光信号,其中所述光接收器不同于所述第一管芯的所述有效区域。
2.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述光信号源自耦合至第二管芯的对应的光发射器。
3.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述背面层是管芯基板。
4.如权利要求3所述的半导体器件,其特征在于,所述光信号穿过所述背面层的基板部分。
5.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述光接收器是所述第一管芯的所述有效区域的一部分。
6.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述有效区域包括有源器件、无源器件和/或导电层中的至少一者。
7.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述光接收器与所述第一管芯分开,并且其中所述光接收器位于所述第一管芯的所述有效区域之上。
8.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述光接收器包括被配置成接收多个光信号的多个光传感器。
9.如权利要求8所述的半导体器件,其特征在于,所述光接收器被进一步配置成将来自至少所述多个光信号中的特定的光信号与特定的光传感器相关联。
10.如权利要求8所述的半导体器件,其特征在于,特定的光传感器被配置成将在其光传感器处接收到的光信号标识为源自特定的光发射器。
11.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,进一步包括第二管芯,所述第二管芯包括光发射器,并且其中所述第二管芯耦合至所述第一管芯的背面层。
12.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,进一步包括:
包括光发射器的第二管芯;以及
位于所述第一管芯与所述第二管芯之间的第三管芯,其中所述光接收器被配置成接收通过所述第三管芯的特定光信号。
13.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,进一步包括被配置成将至少一个光信号反射到所述光接收器的反射组件。
14.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,进一步包括配置成散射至少一个光信号的反射组件。
15.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述半导体器件被纳入到音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、固定位置终端中的至少一者中。
16.一种半导体器件,包括:
第一管芯,包括:
包括一个或多个晶体管的有效区域;以及
耦合到所述有效区域的背面层,所述背面层具有的厚度足够薄以允许光信号穿过所述背面层;以及
光发射器,其被配置成将所述光信号发射到光接收器,所述光发射器还被配置成发射通过所述第一管芯的所述背面层和所述第一管芯的所述有效区域的至少一部分的所述光信号,其中所述光发射器不同于所述第一管芯的所述有效区域。
17.如权利要求16所述的半导体器件,其特征在于,所述光信号以耦合至第二管芯的对应的光接收器为目的地。
18.如权利要求16所述的半导体器件,其特征在于,所述背面层是管芯基板。
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