[发明专利]用于补偿单端感测放大器中PVT变化的参考电路

摘要

本发明涉及一种半导体存储器件，该半导体存储器件包括：-用于读取从存储器阵列中选定的存储单元感测到的数据的单端感测放大器(SA)电路，该感测放大器具有用于馈入参考信号(REF)的第一节点(N1)、耦接到位线(BL)的第二节点(N2)以及负责在感测操作期间放大所选定的存储单元的内容的感测晶体管(T2、T3)；-参考电路(R)，其具有感测晶体管(T2,T3)的复制晶体管(T’2,T’3)，并且还包括被设计为使得每个复制晶体管在稳定的操作点操作的调节网络(OP1、T’5；OP2)，并且其中，所述调节网络产生施加于感测放大器电路的控制电压。

主权项

一种半导体存储器件，该半导体存储器件包括：‑单端感测放大器(SA)电路，其用于读取从存储器阵列中选定的存储单元感测到的数据，所述感测放大器具有用于馈入参考信号(REF)的第一节点(N1)、耦接到位线(BL)的第二节点(N2)以及在感测操作期间负责放大所选定的存储单元的内容的感测晶体管(T2、T3)；‑参考电路(R)，其具有所述感测晶体管(T2、T3)的复制晶体管(T’2、T’3)，并且还包括调节网络(OP1、T’5；OP2)，所述调节网络被设计成使得每个复制晶体管都在稳定的操作点操作，并且其中，所述调节网络产生施加于所述感测放大器电路的控制电压。