[发明专利]硅质致密膜的形成方法有效
| 申请号： | 201380052701.3 | 申请日： | 2013-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN104718030A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 尾崎祐树;樱井贵昭;小林政一 | 申请（专利权）人： | AZ电子材料（卢森堡）有限公司 |
| 主分类号： | B05D7/24 | 分类号： | B05D7/24;B05D3/06;B32B9/00;C01B21/068;C08J7/00 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216 | 代理人： | 刘淼 |
| 地址： | 卢森堡*** | 国省代码： | 卢森堡;LU |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种硅质致密膜及其形成方法。一种硅质致密膜的形成方法、以及通过该方法而形成的硅质致密膜，该方法包含如下工序：用包含具有硅氮烷键的聚合物的覆膜形成用组合物在基板上进行涂膜，照射最大峰波长为160～179nm的光，接着用最大峰波长比之前所照射的光的最大峰波长还长10～70nm的光进行照射。 | ||
| 搜索关键词： | 致密 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成硅质致密膜的方法，其特征在于，包含下述的工序：(1)覆膜形成用组合物制备工序，制备覆膜形成用组合物，该覆膜形成用组合物包含具有硅氮烷键的聚合物以及溶剂；(2)涂布工序，将所述覆膜形成用组合物涂布于基板上而形成涂膜；(3)第一照射工序，对所述涂膜照射最大峰波长为160～179nm的光；以及(4)第二照射工序，对第一照射工序后的涂膜照射最大峰波长比在第一照射工序中使用的光的最大峰波长还长10～70nm的光。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于AZ电子材料（卢森堡）有限公司;，未经AZ电子材料（卢森堡）有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380052701.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：借助一种工具而修整齿轮的齿面的方法
- 下一篇：用于烯烃二聚的方法
