[发明专利]硅质致密膜的形成方法

权利要求书

1.一种形成硅质致密膜的方法，其特征在于，包含下述的工序：

(1)覆膜形成用组合物制备工序，制备覆膜形成用组合物，该覆膜形成用组合物包含具有硅氮烷键的聚合物以及溶剂；

(2)涂布工序，将所述覆膜形成用组合物涂布于基板上而形成涂膜；

(3)第一照射工序，对所述涂膜照射最大峰波长为160～179nm的光；以及

(4)第二照射工序，对第一照射工序后的涂膜照射最大峰波长比在第一照射工序中使用的光的最大峰波长还长10～70nm的光。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，工序(4)是在所述第二照射工序中，照射最大峰波长为180～230nm的光。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在所述第一照射工序中，照射最大峰波长为165～175nm的光。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的方法，其中，在第二照射工序之后进一步包含：

(5)第三照射工序，对第二照射工序后的涂膜照射最大峰波长比在第二照射工序中使用的光的最大峰波长还长10nm～60nm的光。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，在第三照射工序中，照射最大峰波长为180nm～230nm的光。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的方法，其中，所述具有硅氮烷键的聚合物为聚硅氮烷。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，聚硅氮烷是全氢聚硅氮烷。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，聚硅氮烷是有机聚硅氮烷。

9.根据权利要求1～5中任一项所述的方法，其中，覆膜形成用组合物进一步包含添加剂。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述添加剂为胺类化合物。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述胺类化合物从由单胺类化合物、二胺类化合物、烯丙基胺类化合物、苄胺类化合物、吡咯化合物、吡啶化合物、吡嗪化合物、烷氧基烷基胺类化合物、氨基烷基醚化合物以及二硅氮烷化合物组成的组中选出。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，所述添加剂是金属络合物化合物。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述金属络合物化合物含有从由镍、钛、铂、铑、钴、铁、钴、铱、铝、钌、钯、铼以及钨组成的组中选出的金属。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述金属络合物化合物具有乙酰丙酮基、羰基或者羧酸根。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述羧酸根是从甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、辛酸、月桂酸、硬脂酸、油酸、乳酸、琥珀酸以及柠檬酸中选出的羧酸的残基。

16.根据权利要求1～15中任一项所述的方法，其中，各照射工序在非活性气体环境下进行。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述非活性气体环境中的氧浓度为1000ppm以下。

18.根据权利要求16或17所述的方法，其中，所述非活性气体环境是氮气环境。

19.一种硅质致密膜，其特征在于，通过权利要求1～18中任一项所述的方法而制造。