[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种防止电特性劣化，并且防止晶片翘曲和/或裂纹的半导体装置的制造方法。在n+SiC基板(1)的正面侧形成的层间绝缘膜(8)的接触孔(8a)内沉积第一镍膜(9a)。接下来，从层间绝缘膜(8)以及第一镍膜(9a)整个面开始照射第一激光(11)，而形成与碳化硅半导体之间的欧姆接触。接下来，在第一镍膜(9a)上，沉积第二镍膜以及正面电极膜而形成源电极。接下来，研磨n+SiC基板(1)的背面，在n+SiC基板(1)被研磨的背面形成第三镍膜。从第三镍膜整面开始照射第二激光，而形成与碳化硅半导体之间的欧姆接触。接下来，在第三镍膜上沉积第四镍膜以及背面电极膜，形成漏电极。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在半导体基板的表面形成绝缘膜的绝缘膜形成工序；选择性地去除所述绝缘膜，使所述半导体基板的表面选择性地露出的工序；在所述半导体基板的露出的表面形成厚度为20nm～100nm的第一镍电极膜的电极膜形成工序；通过向所述第一镍电极膜的表面的图案部分照射波长为200nm～600nm的激光，而对所述第一镍电极膜和所述半导体基板之间的接合部进行第一退火，从而形成所述第一镍电极膜和所述半导体基板之间的欧姆接触的第一退火工序；在所述第一退火工序之后，在所述第一镍电极膜的表面形成第二镍电极膜的第一形成工序；和在所述第二镍电极膜的表面形成含有铝的电极膜的第二形成工序。