[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201380052480.X | 申请日： | 2013-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN104718604B | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 中泽治雄;立冈正明;藤岛直人;荻野正明;中岛经宏;井口研一 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 王颖,金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
在半导体基板的表面形成绝缘膜的绝缘膜形成工序；
选择性地去除所述绝缘膜，使所述半导体基板的表面选择性地露出的工序；
在所述半导体基板的露出的表面形成厚度为20nm～100nm的第一镍电极膜的电极膜形成工序；
通过向所述第一镍电极膜的表面的图案部分照射波长为200nm～600nm的激光，而对所述第一镍电极膜和所述半导体基板之间的接合部进行第一退火，从而形成所述第一镍电极膜和所述半导体基板之间的欧姆接触的第一退火工序；
在所述第一退火工序之后，在所述第一镍电极膜的表面形成第二镍电极膜的第一形成工序；和
在所述第二镍电极膜的表面形成含有铝的电极膜的第二形成工序。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述第一退火工序中，使所述激光通过透镜而进行聚光，在所述激光的光斑直径接近衍射极限的状态下，照射所述激光。
3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述激光的能量密度为1.6J/cm2～2.4J/cm2，
所述激光的重叠率在70％以下。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述半导体基板包括硅、碳化硅或氮化镓。
5.根据权利要求1至3中任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述绝缘膜以及所述第一镍电极膜在所述半导体基板的正面形成，
在所述电极膜形成工序后，所述第一退火工序前，还包括对所述半导体基板的背面进行研磨，而使所述半导体基板的厚度变薄的薄化工序。
6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述半导体基板包括硅、碳化硅或氮化镓。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机株式会社，未经富士电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380052480.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：非易失性半导体存储装置
- 下一篇：具有改善的单晶材料使用效率的伪衬底
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
