[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201380051313.3 | 申请日： | 2013-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN104685635B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 美崎克纪 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置(201)包括具有氧化物半导体层(5)的薄膜晶体管(101)，薄膜晶体管(101)的源极电极(7)和漏极电极(9)分别具有包含第一金属的主层(7a、9a)；下层(7c、9c)，其配置在主层的基板侧，从主层侧起依次包括由第二金属氮化物构成的下部金属氮化物层和由第二金属构成的下部金属层；和上层(7b、9b)，其配置在主层的与基板相反的一侧，从主层侧起依次包括由第二金属的氮化物构成的上部金属氮化物层和由第二金属构成的上部金属层，第一金属是铝或铜，第二金属是钛或钼。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于：包括基板和由所述基板支承的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：氧化物半导体层；栅极电极；在所述栅极电极与所述氧化物半导体层之间形成的栅极绝缘层；和与所述氧化物半导体层接触的源极电极和漏极电极，所述源极电极和所述漏极电极分别具有：包含第一金属的主层；下层，其配置在所述主层的所述基板侧，从所述主层侧起依次包括由第二金属的氮化物构成的下部金属氮化物层和由所述第二金属构成的下部金属层；和上层，其配置在所述主层的与所述基板相反的一侧，从所述主层侧起依次包括由所述第二金属的氮化物构成的上部金属氮化物层和由所述第二金属构成的上部金属层，所述第一金属是铝或铜，所述第二金属是钛或钼，所述源极电极和所述漏极电极的所述上层或所述下层还包括以与所述氧化物半导体层接触的方式配置的、由所述第二金属的氮化物构成的另一金属氮化物层。
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