[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于：

包括基板和由所述基板支承的薄膜晶体管，

所述薄膜晶体管包括：氧化物半导体层；栅极电极；在所述栅极电极与所述氧化物半导体层之间形成的栅极绝缘层；和与所述氧化物半导体层接触的源极电极和漏极电极，

所述源极电极和所述漏极电极分别具有：

包含第一金属的主层；

下层，其配置在所述主层的所述基板侧，从所述主层侧起依次包括由第二金属的氮化物构成的下部金属氮化物层和由所述第二金属构成的下部金属层；和

上层，其配置在所述主层的与所述基板相反的一侧，从所述主层侧起依次包括由所述第二金属的氮化物构成的上部金属氮化物层和由所述第二金属构成的上部金属层，

所述第一金属是铝或铜，所述第二金属是钛或钼，

所述源极电极和所述漏极电极的所述上层或所述下层还包括以与所述氧化物半导体层接触的方式配置的、由所述第二金属的氮化物构成的另一金属氮化物层。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述下部金属氮化物层与所述主层的下表面接触，所述上部金属氮化物层与所述主层的上表面接触。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

还具有覆盖所述氧化物半导体层的沟道区域的蚀刻阻挡层。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述氧化物半导体层是包含In-Ga-Zn-O类氧化物的层。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：

所述氧化物半导体层是包含结晶In-Ga-Zn-O类氧化物的层。

6.一种半导体装置，其特征在于：

包括基板和由所述基板支承的薄膜晶体管，

所述薄膜晶体管包括：氧化物半导体层；栅极电极；在所述栅极电极与所述氧化物半导体层之间形成的栅极绝缘层；和与所述氧化物半导体层接触的源极电极和漏极电极，

所述源极电极和所述漏极电极分别具有：

包含第一金属的主层；

下层，其配置在所述主层的所述基板侧，从所述主层侧起依次包括由第二金属的氮化物构成的下部金属氮化物层和由所述第二金属构成的下部金属层；和

上层，其配置在所述主层的与所述基板相反的一侧，从所述主层侧起依次包括由所述第二金属的氮化物构成的上部金属氮化物层和由所述第二金属构成的上部金属层，

所述第一金属是铝或铜，所述第二金属是钛或钼，

还包括覆盖所述薄膜晶体管的第一保护层，所述第一保护层为氧化硅膜，

所述源极电极和所述漏极电极的所述上层还包括配置在所述上部金属层与所述第一保护层之间的、由所述第二金属的氮化物构成的另一金属氮化物层，

所述另一金属氮化物层与所述第一保护层接触。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于：

所述下部金属氮化物层与所述主层的下表面接触，所述上部金属氮化物层与所述主层的上表面接触。

8.如权利要求6中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

还具有覆盖所述氧化物半导体层的沟道区域的蚀刻阻挡层。

9.如权利要求6～8中任一项所述的半导体装置，其特征在于：

所述氧化物半导体层是包含In-Ga-Zn-O类氧化物的层。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于：

所述氧化物半导体层是包含结晶In-Ga-Zn-O类氧化物的层。