[发明专利]用于在基体上制造金属-硼碳化物层的方法有效
| 申请号： | 201380051231.9 | 申请日： | 2013-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN104781444B | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | M.阿恩特;H.鲁迪吉尔;H.博瓦蒂;J.施内德 | 申请（专利权）人： | 欧瑞康表面解决方案股份公司;普费菲孔 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34;C23C14/32;H01J37/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周铁;万雪松 |
| 地址： | 瑞士普*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 本发明涉及用于涂敷带有层的基体的PVD方法，所述层至少含有微晶金属硼碳化物相。在PVD方法的过程中，所述源输出是脉冲的，使得在600℃以下的基体温度在由此产生的层的x‑射线光谱中，至少一个峰可以确定，其半峰宽允许得出结论：存在所述金属‑硼碳化物的微晶相。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 基体 制造 金属 碳化物 方法 | ||
【主权项】：
1.用于涂敷带有涂层的基体的PVD方法，所述涂层至少含有微晶金属硼碳化物相，其特征在于：在PVD方法的范围中，所述源功率是脉冲的，使得在600℃以下的基体温度在由此沉积的层的x‑射线光谱中，至少一个峰可以确定，其半峰宽允许得出结论：存在所述金属‑硼碳化物的微晶相，其中所述PVD方法包括HIPIMS方法。
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