[发明专利]用于在基体上制造金属-硼碳化物层的方法

权利要求书

1.用于涂敷带有涂层的基体的PVD方法，所述涂层至少含有微晶金属硼碳化物相，其特征在于：在PVD方法的范围中，所述源功率是脉冲的，使得在600℃以下的基体温度在由此沉积的层的x-射线光谱中，至少一个峰可以确定，其半峰宽允许得出结论：存在所述金属-硼碳化物的微晶相，其中所述PVD方法包括HIPIMS方法。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述PVD方法是溅射法。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述溅射法操作到至少一部分具有如HIPIMS方法的大于100W/cm²的电流密度。

4.如前述权利要求任一项所述的方法，其特征在于：所述PVD方法通过靶操作，其中金属以陶瓷化合物的形式存在。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于：所述陶瓷化合物是金属硼碳化物。

6.如前述权利要求任一项所述的方法，其特征在于：至少在所述PVD方法的至少一部分期间，对所述待涂敷的基体施加负偏压。

7.如前述权利要求任一项所述的方法，其特征在于：所述金属硼碳化物是根据式Me₂BC的材料，其中Me是由Cr、Zr和Mo形成的组的一种元素。

8.如前述权利要求任一项所述的方法，其特征在于：所述方法这样进行操作，使得至少一个峰具有至少是测量值的最大振幅二倍的振幅，其表明在20°-70°的2θx-射线光谱中存在纳米-晶体和/或无定形相。

9.带有金属硼碳化物涂层的工件，其特征在于：在所述涂层的x-射线光谱中至少一个峰可以确定，其半峰宽表明了存在所述金属硼碳化物微晶相，其中包含所述金属硼碳化物微晶相的涂层是通过权利要求1-8中任一项的方法涂敷的。

10.如权利要求9所述的工件，其特征在于：所述金属硼碳化物是根据式Me₂BC的材料，其中Me是由Cr、Zr和Mo形成的组的一种元素。