[发明专利]用于感测存储器单元的自偏置多参考

摘要

可在执行读取之前的位线预充电时间期间使用在未断言存储器单元的情况下出现在位线上的电流，以便偏置连接在所述位线与VDD电势下的电力供应器之间的栅极‑漏极短接PMOS上拉装置。当所述漏极在所述预充电时间完成之后断开时，连接到此PMOS上拉装置的所述栅极的电容可用于“存储”所得栅极‑源极电压。一旦所述读取操作开始，便重新使用具有所述“所存储的”所得栅极‑源极电压的所述PMOS上拉装置的电流及所述“所存储的”所得栅极‑源极电压本身作为参考或多参考，用于在连接到所述位线的经断言存储器单元的读取操作期间感测所述经断言存储器单元的状态。

主权项

1.一种用于确定具有浮动栅极的存储器单元的电荷状态的方法，所述方法包括以下步骤：当使耦合到位线的所有存储器单元解除断言时通过将第一晶体管的栅极和漏极耦合到所述位线来感测所述位线中的第一电流；通过从所感测到的第一电流跨越所述第一晶体管的所述栅极和源极产生电压来将所述第一电流转换成电压；通过跨越由第二晶体管的栅极及连接在一起的源极‑漏极形成的电容器耦合所述电压来存储所述电压；基于所存储的电压提供参考电流；从所述所存储的电压提供用作读出放大器的输入的参考电压；当在连接到所述位线的单个存储器单元的读取操作期间断言所述单个存储器单元时，使用利用所述参考电压的所述读出放大器比较所述参考电流与所述位线中的第二电流；以及从所述读出放大器输出确定所述位线的逻辑状态是否改变以用于确定存储在所述单个存储器单元中的位值电荷状态。