[发明专利]用于感测存储器单元的自偏置多参考

权利要求书

1.一种用于确定具有浮动栅极的存储器单元的电荷状态的方法，所述方法包括以下步骤：

当使耦合到位线的所有存储器单元解除断言时通过将第一晶体管的栅极和漏极耦合到所述位线来感测所述位线中的第一电流；

通过从所感测到的第一电流跨越所述第一晶体管的所述栅极和源极产生电压来将所述第一电流转换成电压；

通过跨越由第二晶体管的栅极及连接在一起的源极-漏极形成的电容器耦合所述电压来存储所述电压；

基于所存储的电压提供参考电流；

从所述所存储的电压提供用作读出放大器的输入的参考电压；

当在连接到所述位线的单个存储器单元的读取操作期间断言所述单个存储器单元时，使用利用所述参考电压的所述读出放大器比较所述参考电流与所述位线中的第二电流；以及

从所述读出放大器输出确定所述位线的逻辑状态是否改变以用于确定存储在所述单个存储器单元中的位值电荷状态。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述提供所述参考电流的步骤包括使用所述第一晶体管基于存储在所述电容器中的所述电压产生所述参考电流的步骤。

3.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法，其中使用所述读出放大器比较所述参考电流与所述第二电流的步骤包括在已断言所述存储器单元之后监测与所述存储器单元相关联的所述位线的电压的步骤。

4.根据权利要求1-2中任一权利要求所述的方法，其中所述确定存储在所述单个存储器单元中的所述位值电荷状态的步骤包括检测与所述经断言存储器单元相关联的所述位线的逻辑状态的变化或所述逻辑状态的缺乏的步骤。

5.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一晶体管的所述漏极耦合到所述位线且所述第一晶体管的所述源极耦合到电力供应电压，且存储在所述第二晶体管中的所述电压偏置所述第一晶体管以提供所述参考电流。

6.根据权利要求1-2中任一权利要求所述的方法，其中在所述经断言存储器单元的读取操作期间，使用所述第二晶体管中的所述所存储电压来确定用于感测耦合到所述位线的所述经断言存储器单元的所述位值电荷状态的所述参考电流。

7.根据权利要求1-2中任一权利要求所述的方法，其中在所述经断言存储器单元的读取操作期间，重新使用所述第二晶体管中的所述所存储电压作为到所述读出放大器的参考输入，所述读出放大器具有确定耦合到所述位线的所述经断言存储器单元的所述位值电荷状态的输出。

8.根据权利要求1-2中任一权利要求所述的方法，其中所述第一及第二晶体管为p型金属氧化物半导体PMOS晶体管。

9.根据权利要求1-2中任一权利要求所述的方法，其中所述第一及第二晶体管为n型金属氧化物半导体NMOS晶体管。

10.一种用于确定具有浮动栅极的存储器单元的电荷状态的设备，其包括：

第一晶体管，在第一模式期间当使耦合到位线的所有存储器单元解除断言时，所述第一晶体管通过金属氧化物半导体晶体管使栅极及漏极耦合到所述位线且使源极耦合到电力供应电压，其中感测所述位线中的第一电流；

其中，通过从跨越所述第一晶体管的所述栅极和源极产生电压，所述第一晶体管将所述第一电流转换成电压；

电容器，其由第二晶体管形成且所述电容器经配置以在所述第一模式期间存储所述电压；

其中，开关装置在第二模式期间控制所述第一晶体管以基于来自所述电容器的所述所存储的电压提供参考电流；

其中来自所述电容器的所述所存储的电压还用作读出放大器的参考输入；

其中当在耦合到所述位线的单个存储器单元的读取操作期间断言所述单个存储器单元时，所述读出放大器利用所述参考输入比较所述参考电流与所述位线中的第二电流；且

其中，所述设备经配置以基于所述位线的逻辑状态是否改变而在所述第二模式期间确定存储在所述单个存储器单元中的位值电荷状态。