[发明专利]光电转换元件以及光电转换元件的制造方法

摘要

提供一种光电转换元件及其制造方法，该光电转换元件包括：第一导电型的半导体基板；第一导电型的第一非晶膜，设置在该半导体基板的一个表面的整个面；第一导电性氧化物层，设置在该第一非晶膜上；第一导电型的第二非晶膜，设置在该半导体基板的另一个表面的一部分；第二导电性氧化物层，设置在该第二非晶膜上；第二导电型的第三非晶膜，设置在该半导体基板的另一个表面的其他的一部分；以及第三导电性氧化物层，设置在该第三非晶膜上，该第一导电性氧化物层的导电率比该第二导电性氧化物层以及该第三导电性氧化物层的导电率低，该第一导电性氧化物层的透过率比该第二导电性氧化物层以及该第三导电性氧化物层的透过率高。

主权项

一种光电转换元件，包括：第一导电型的半导体基板；第一导电型的第一非晶膜，设置在所述半导体基板的一个表面的整个面；第一导电性氧化物层，设置在所述第一非晶膜上；第一导电型的第二非晶膜，设置在所述半导体基板的另一个表面的一部分；第二导电性氧化物层，设置在所述第二非晶膜上；第二导电型的第三非晶膜，设置在所述半导体基板的另一个表面的其他的一部分；以及第三导电性氧化物层，设置在所述第三非晶膜上，其特征在于，所述第一导电性氧化物层的导电率比所述第二导电性氧化物层以及所述第三导电性氧化物层的导电率低，所述第一导电性氧化物层的透过率比所述第二导电性氧化物层以及所述第三导电性氧化物层的透过率高。