[发明专利]用于去除和防止金属线表面形成氧化物的组合物有效
| 申请号： | 201380049569.0 | 申请日： | 2013-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN104662202B | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 崔好星;柳匡铉;裵锺一;李锺淳;梁惠星;河相求 | 申请（专利权）人： | LTC有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/44 | 分类号： | C23F1/44;C23F1/10 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 滕一斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在制造半导体电路、有机发光二极管、LED或液晶显示器的过程中，去除形成在铜膜表面的氧化物，且不会引起更低层金属膜的腐蚀的方法。该组合物包括腐蚀性胺，可去除金属氧化物，这取决于范围为0.01‑10％的添加剂，而不论超纯水的含量为多少。当其同样含有水和0.01‑20％的添加剂时，除了腐蚀性胺以外，其它极性溶剂可有效去除金属表面的氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 去除 防止 金属线 表面 形成 氧化物 组合 | ||
【主权项】：
一种用于去除和防止金属线表面氧化物形成的组合物，包括：0.01‑20重量％的下述化学式1所示的化合物；10‑99.99重量％的有机溶剂；以及0‑70重量％的水：化学式1其中，化学式1中，X1是C或S；X2是CR12、NR2、O或S，此处R1和R2各自独立地为氢、C1‑12烷基、C1‑12烷基硫醇或C1‑12烷氧基，C6‑12芳基，或羟基，以及X3和X4各自独立地为CR3或N，此处R3独立地为氢、C1‑12烷基或C1‑12烷基硫醇，或氢，以及，此处当X3和X4均为CR3且R3为C1‑12烷基时，取代基R3末端的碳可以相互键合形成饱和或不饱和的环；其中，所述有机溶剂为胺系溶剂。
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